Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора

Фізична еквівалентна схема БТ у ССБ на високих частотах показана на рисунку 3.57. На ній враховано вплив бар’єрної ємності КП на роботу транзистора. Дифузійна ємність увімкненого в прямому напрямі ЕП не враховується, тому що малий опір звичайно в десятки тисяч разів менший за опір КП , і тому опір шунтує ємність ЕП до дуже високих частот.

Змінна складова струму, створеного джерелом , розгалужується на три гілки: через опір КП , через бар’єрну ємність КП і через опори та . Оскільки великий, то струм через нього незначний. На низьких частотах реактивний опір ємності також великий, і струм через ємність майже не протікає. Але при збільшенні частоти опір ємності зменшується, і все більша частка струму від джерела проходить через ємність. Для зменшення шунтувальної ємності треба зменшувати опір робочого кола + , щоб виконувалась умова

+ .

У граничному випадку вважаємо, що , і тоді

або . (3.93)

З формули (3.93) бачимо, що чим менший добуток , тим на більш високих частотах може працювати БТ. Тому величина є важливим частотним параметром транзистора і подається в довідниках.

Рисунок 3.57 – Фізична еквівалентна схема БТ зі спільною базою на високих частотах