P- i - та n - i - переходи

Ці переходи займають проміжне положення між звичай­ними - переходами та описаними в попередньому пункті контактами. Створюються - - та - - переходи між двома пластинами, одна з яких має домішкову (елект­ронну або діркову) електропровідність, а інша – власну.

У - - контактах внаслідок різниці концентрацій носіїв у областях відбувається інжекція дірок з -області до -області, а електронів - з -області до -області. Внаслідок малої величини електронної інжекційної складової потенціальний бар’єр на межі переходу створюється нерухомими негативними іонами акцепторів -області, надлишковими дірками -області, які дифундують до неї через перехід. Оскільки , то запірний шар в -області значно товщий, ніж у -області.