P-n - переходи та способи їх виготовлення

Електронно-дірковий перехід представляє більш широкий клас електронних переходів. Електричний перехід у напівпровіднику – це тонкий граничний шар між областями єдиного монокристала з різними фізичними характеристиками. Переходи створюються між областями напівпровідника з різними типами провідності ( - переходи або електронно-діркові переходи), між областями напівпровідника з електропровідністю одного типу, але з різною концентрацією домішок ( - - та - - переходи), між областями легованого та чистого напівпровідників (p-i - переходи), між областями напівпровідника з різною шириною забороненої зони (гетеропереходи), між напівпровідником і металом тощо.

Електричні переходи створюються різними способами. Найбільш поширеними серед них є точково-контактний, сплавний, мікросплавний, дифузійний, дифузійно-сплавний, епітаксіальний способи.

Точково-контактний спосіб полягає у формуванні контакту металевої голки з поверхнею НП з подальшим сплавленням за допомогою пропускання через них коротких імпульсів струму (рис. 1.8 а).

Спосіб сплавлення здійснюється за допомогою вплавлення домішок у пластинку чистого НП, після чого матеріал домішок обпалюється. Переходи, що виготовляють цим способом, мають відносно велику площу контакту, велику ємність, а тому здатні пропускати великі струми і можуть застосовуватися в потужних напівпровідникових приладах (рис. 1.8 б).

а) б) в)

Рисунок 1.8 – Способи виготовлення р-n – переходів:

а – точково-контактний; б – сплавний; в-мікросплавний

Мікросплавний спосіб зумовлює створення переходу навколо контакту металевої голки з плоским кінцем з поверхнею НП. У цьому випадку площа переходу в 2-3 рази більша, ніж площа точково-контактних переходів, але у сотні разів менша за площу сплавних переходів. Ємність мікросплавних переходів невелика, допустимий прямий струм через перехід у кілька разів перевищує струм точкових переходів (рис. 1.8 в).

Дифузійний спосіб полягає у введенні в НП домішок завдяки їх дифузії з газового або рідинного середовища при температурі, що приблизно дорівнює температурі плавлення НП. Дифузія здійснюється вздовж усієї поверхні напівпровідникової пластини або на певних її ділянках через спеціальні маски.

Дифузійно-сплавний спосіб є комбінацією сплавного та дифузійного способів. Спочатку здійснюється вплавлення домішок, а потім їх дифузія, яка забезпечує створення потрібного градієнта концентрації носіїв заряду.

Епітаксіальний спосіб створення переходів полягає в нарощуванні монокристалічного шару НП з розплаву на напівпровідникову пластину, яка має таку саму кристалічну будову, як і нарощуваний шар.

Розрізняють несиметричні - переходи - між напів­провідниками з концентраціями основних носіїв заряду (концентраціями домішок), що відрізняються між собою в 10 - 10 разів ( або ), і симетричні – між напівпровідниками з приблизно однаковими концент­раціями основних носіїв ( ). Частіше на практиці застосовуються несиметричні – переходи.

Розрізняють також різкі та плавні – переходи. Різким називають перехід, уздовж якого концентрація носіїв змінюється на відстані, меншій за дифузійну довжину цих носіїв.

Дифузійна довжина дірок

. (1.12)

Дифузійна довжина електронів

. (1.12¢)

У формулах (1.12) та (1.12¢) , - коефіцієнти дифу­зій відповідно дірок та електронів; , - середні тривалості життя носіїв. Інакше кажучи, дифузійною довжиною носіїв можна вважати відстань, яку вони прохо­дять за час, що дорівнює середній тривалості їх життя.

Плавним називають перехід, уздовж якого концентрація носіїв (або домішок) змінюється на відстані, що перевищує дифузійну довжину.

Надалі розглядатимемо різкий перехід, оскільки саме він має односторонню провідність.








Дата добавления: 2015-04-25; просмотров: 3770;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.006 сек.