Эквивалентная схема ПТ

Полевые транзисторы, по существу, являются приборами с распределенными параметрами. На практике используют упрощенные модели, напоминающие модели электронных ламп. Упрощенная эквивалентная схема ПТ на основе физической модели, которая определяется его структурой, представлена на рисунке 4.7. Здесь: r_С и r_И – неизменные сопротивления между каналом и выводами транзистора (называемые немодулированными сопротивлениями стока и истока); управляемое сопротивление канала r_i и генератор тока S ∙U_ЗИ, создающий ток стока, зависят от входного напряжения U_ЗИ. Сопротивление канала r_i сравнительно велико, а немодулированные сопротивления r_С и r_И на два-три порядка меньше, чем r_i. Строго говоря, эти два сопротивления включены последовательно с сопротивлением канала, учитывая, что r_i ≫ r_С + r_И для упрощения анализа целесообразно r_С исключить,а r_i соединить непосредственно со стоком. Сопротивление r_И следует учитывать, т.к. оно существенно влияет на параметры транзистора.

Междуэлектродные емкости: входная затвор-исток С_ЗИ, проходная за­твор-сток С_ЗС и выходная сток-исток С_СИ.