Частотные свойства полевых транзисторов

 

Анализ показывает, что по частотным свойствам полевой транзистор не имеет особых преимуществ перед биполяр­ным. Практически были осуществлены полевые транзисторы с максимальной частотой генерации до 30 ГГц. Но с точки зрения бы­стродействия полевой транзистор превосходит биполярный, так как работает на основных носителях заряда при отсутствии их нако­пления.

На частотные свойства полевых транзисторов оказывают влияние:

- конечность времени пролета носителей от истока до стока;

- межэлектродные емкости структуры.

Конечность времени пролета носителей tПР отражается комплексной крутизной

(4.6)

Здесь S0 - значение крутизны при ω → 0.

Модуль крутизны равен:

. (4.7)

При ω = ωS крутизна уменьшается в раз, частоту ωS называют предельной частотой крутизны.

Частота ωS связана с временем пролета tПР соотношением

ωS=1/ tПР.

Для выяснения частотной зависимости параметров транзистора от межэлектродных емкостей необходимо воспользоваться эквивалентной схемой (рисунок 4.7).

Из эквивалентной схемы следует, что к емкости затвор-сток приложена сумма двух напряжений: входного и выходного. Причем выходное напряжение . Входной ток транзистора разветвляется на две ветви: часть тока течет через входную емкость СЗИ , часть через емкость СЗС. Тогда входной ток будет равен

 

где . (4.8)

Отсюда следует, что наличие проходной емкости СЗС увеличивает входную емкость транзистора, что ведет к снижению граничной частоты, поскольку емкость СЭ, определяющая граничную частоту, включает в себя и входную емкость транзистора, шунтирующую резистор нагрузки RН.

 

 

 

Ток затвора IЗ во входной цепи полевого транзистора с управляющим p-n переходом является обратным током, который созда­ется неосновными носителями через p-n переход, чрезвычайна мал (порядка 10-9 А и менее). Поэтому входное сопротивление по­левого транзистора RВХ=DUЗ/DIЗ очень высокое (порядка несколь­ких мегомов), входная же емкость мала, так как переход нахо­дится под обратным напряжением. Этими качествами полевой транзистор выгодно отличается от биполярных транзисторов с дву­мя p-n переходами

Входное сопротивление МДП-транзистора из-за нали­чия изолятора между затвором и каналом составляет около 1012 - 1014 Ом и уменьшается с ростом частоты вследствие шунтирования входной емко­стью транзистора. Выходное сопротивление находится в пределах десятков - сотен килоомов. Входная и выходная емкости составляют единицы пикофарад, а проходная емкость -десятые доли пикофарад.

.









Дата добавления: 2015-04-21; просмотров: 893;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.