Порядок выполнения работы. В работе используется полупроводниковый лазер с l = 670 нм.

В работе используется полупроводниковый лазер с l = 670 нм.

1. Собрать схему установки (рис. 3.2), учитывая, что для увеличения точности измерений необходимо щель расположить от экрана на расстоянии не менее 1 м.

2. Используя юстировочный винт, на котором установлена калибровочная щель, добейтесь, чтобы луч лазера прошел через ее отверстие и попал на экран.

3. Изменяя размер щели от 0,03 мм с шагом 0,03мм, проведите 10–12 измерений. Размер щели увеличивать так, чтобы на экране наблюдалась четкая дифракционная картина.

4. Для каждого значения ширины щели измерьте ширину центрального максимума, как с помощью линейки, так и путем подсчета числа делений миллиметровой бумаги, которая используется в качестве экрана. Ширину максимума следует определить по положению темных полос, окаймляющих максимум.

5. Результаты измерений Dх, 2Д и Д (половина ширины центрального максимума) занесите в табл. 3.1.

Таблица 3.1

№	Dх	2Д	Д	F	sin j =
…

6. Постройте график зависимости полуширины центрального максимума Д от размера щели Dх. Сделайте анализ полученных результатов.