Технология изготовления и конструкция
Основная часть конструкции фоторезистора – фоточувствительный слой полупроводника, выполненный в виде моно- или поликристаллической пластинки или пленки на диэлектрической подложке с металлическими электродами.
В качестве полупроводникового материала используются собственные полупроводники: CdS (максимальная чувствительность в зеленой области спектра, пригоден для измерителей освещенности), CdSe (максимальная чувствительность в красной области спектра), ZnS (работает в ИК-диапазоне 1,5 – 2,5 мкм), PbSe, InSb (для ИК-диапазона 3 – 3,5 мкм), твердые растворы CdTe – HgTe (работают в ИК-диапазоне 7 – 14 мкм), а также используются примесные полупроводники, например, Ge и Si, для ИК-диапазона 5 – 30 мкм.
В табл. 6.2 приведены длины волн, соответствующие максимумам спектральной чувствительности λmax, ширина запрещенной зоны Еg полупроводников, применяемых для изготовления фоторезисторов. Поверхность фоточувствительного слоя между электродами называют рабочей площадкой, она может иметь прямоугольную форму, может быть в виде меандра или кольца. Площадь рабочей площадки от 0,1 до 10 мм2. Вся конструкция помещается в пластмассовый или металлический корпус.
Таблица 6.2
Параметры полупроводников, используемых
в фоторезисторах
| Материал | Еg, эВ | λmax, мкм | Марка фоторезистора |
| PbS | 0,4 | 2,5 | ФСА |
| Bi2S3 | 1,3 | 0,95 | ФСБ |
| CdS | 2,4 | 0,5 | ФСК |
| CdSe | 1,7 | 0,7 | ФСД |
Дата добавления: 2015-02-16; просмотров: 802;