Процессы при установившихся колебаниях мультивибратора.

Пусть в некоторый момент времени t1 открыт транзистор VT1, а до этого был открыт VT2 и конденсатор C₂ заряжен до +Ек. Цепь заряда конденсатора С₂: (+Ек)-(переход эмиттер- база VT2)-(C₂)-(R_К1)-(-Ек). Так как падение напряжения на транзисторе в режиме насыщения незначительно (около 0,3 В), то при полностью открытом транзисторе VT1 напряжение на его коллекторе К₁ можно принимать равным нулю (U_К1»0); перепад напряжения на коллекторе VT1 от (-Ек) до 0 (+Ек) для момента t, показанном на рисунке (д). Так как транзистор VT1 открылся, то на левой обкладке конденсатора С₂ зафиксируется положительный потенциал, который вызовет разряд конденсатора С₂ током по цепи: (+Ек)-VT1-С₂-R_Б2-(-Ек). К резистору R_Б2 будет приложена сумма двух напряжений- напряжение источника питания и напряжение конденсатора С₂. На базе транзистора VT2 (рис.в) образуется скачок напряжения U_Б2 от 0 до +Ек, как результат падения напряжения на резисторе R_Б2 при прохождении тока i_р. В течении времени t1-t3 разряда конденсатора С₂ на базу Б₂ транзистора VT2 подается положительный потенциал, в следствии чего потенциал базы Б₂ выше потенциала эмиттера, транзистор VT2- закрытый и ток в цепи его базы i_б2 (рис.г) равен нулю. В это же время происходит заряд конденсатора С₁ током i_з через открытый транзистор VT1 по цепи: (+Ек)-(эмиттерно- базовый переход транзистора VT1)-С₁-R_К2- (-Eк). На выходе 2 образуется импульс отрицательной полярности U_К2 (рис.д). В интервале времени t1-t3 напряжение на выходе 2 сначала (до полного заряда конденсатора С₁) изменяется по экспоненте, а затем становится равным (-Ек). Таким образом в интервале времени t1-t3 на коллекторе открытого транзистора VT1 (выход1) образуется положительный прямоугольный импульс (рис.з), а на коллекторе закрытого транзистора VT2 (выход2) образуется отрицательный импульс, который приблизительно можно принять так же прямоугольным. Ток в цепи базы открытого транзистора VT1 состоит из слагаемых: постоянного в течении рассматриваемого полупериода (t1-t3) тока Iбо=Ек/Rб и изменяющегося по экспоненциальному закону зарядного тока i_з конденсатора С₁. Ток Iбо протекает по цепи: (+Ек)-(переход эмиттер- база VT1)- R_Б1- (-Ек).

В результате разряда конденсатора С₂ потенциал базы транзистора VT2 в момент времени t3 станет равным нулю (рис.в). Этого достаточно, чтобы открылся транзистор VT2 и ток в цепи его базы изменился скачком от 0 до Iб мах (рис.г). Это объясняется тем, что конденсатор С₂ разряжен полностью, и величина зарядного тока i_з ограничена только резистором R_К1. Ток в цепи базы VT2, так же, как в цепи базы VT1, имеет две составляющие Iбо и i_з в интервале времени t3-t4, а затем от t4 до t5 только Iбо (рис.г). Положительный (нулевой) потенциал на коллекторе открытого транзистора VT2 вызывает разряд конденсатора C₁ и скачок напряжения U_Б1 от 0 до +Ек на Б₁ транзистора VT1 (t3 на рис.е). В результате чего ток базы i_б1 (t3-t5) становится равным нулю (рис.ж). Все процессы для второго полупериода аналогичны процессам первого полупериода. Разрядные и зарядные токи, токи базы и коллектора показаны на схеме, следует только отметить, что в интервале времени t3-t5 изменилась полярность сигналов на выходах: положительный на выходе 2 (0), и отрицательный на выходе 1.

Торможение мультивибратора может быть осуществлено подачей положительного напряжения смещения в цепь базы одного из транзисторов или размыканием одной из эмиттерной цепи.