Схема с ОЭ.

Для снятия статических характеристик транзистора используют следующую схему:

Напряжение на эмиттерно- базовую и эмиттерно- коллекторные цепи подаются через потенциометры Rб и Rк. Для измерений напряжений и токов установлены соответствующие приборы и указано, что они измеряют.

Входные характеристики (рис.а) показывают зависимость тока базы от напряжения базы при неизменном напряжении на коллекторе, т.е. Iб=f(Uб) при Uк=const.

По семейству входных характеристик, снятых при различных значениях Uк, видно влияние напряжения на коллекторе на протекание токов в цепи базы. При увеличении Uк ширина коллекторного перехода становится больше и соответственно уменьшается толщина базы. В тонкой базе снижается рекомбинация носителей тока, большее количество носителей тока втягивается в коллектор и уменьшается ток базы, так как Iб=I_Э-Iк. Это приводит к уменьшению наклона входных характеристик. Из этого следует, что увеличение отрицательного напряжения на коллекторе в схеме с ОЭ оказывает обратное воздействие на входные характеристики по сравнению со схемой с ОБ: характеристики располагаются правее и ниже. При малых токах базы зависимости Iб=f(Uб) приближаются к экспоненциальным кривым, а при больших токах имеют линейные участки (по тем же процессам, что и в схеме с ОБ).

Выходные характеристики (рис.б) показывают зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при неизменном значении тока базы, т.е. Iк=f(Uк) при Iб=const.

В схеме с ОЭ на базу подается небольшой отрицательный потенциал, поэтому ток коллектора может появится лишь тогда, когда потенциал коллектора будет ниже потенциала базы. Ток коллектора сначала нарастает быстро, а затем , на его изменение влияние отрицательного коллекторного потенциала сказывается меньше. Характеристики имеют наклон к оси абсцисс, что объясняется некоторым воздействием коллекторного напряжения на эмиттерный переход через коллектор и базу.

Характеристики передачи по току (рис. а) показывают зависимость тока коллектора от тока базы при неизменном напряжении на коллекторе, т.е. Iк=f(Iб) при Uк=const.

Эти характеристики имеют линейный вид лишь при больших отрицательных напряжениях на коллекторе. Когда значение Uк небольшое, то сужается коллекторный переход и увеличивается ширина базы, в следствии чего меньше носителей тока базы достигает коллектора, что снижает коэффициент передачи , т.к. нарушается линейная связь между током коллектора и током базы, характеристики искривляются.

Характеристики обратной связи (рис.б) показывают зависимость напряжения базы от напряжения коллектора при неизменном токе базы, т.е. Uб=f(Uк) при Iб=const.

Под обратной связью понимают влияние параметра выходной цепи на параметр входной цепи. В данном случае, Uк относится к выходной цепи, а Uб относится к входной цепи. Когда отрицательное напряжение коллектора больше отрицательного напряжения базы, то открыт коллекторный переход транзистора, и ток в базе обусловлен одновременно работающими эмиттерным и коллекторным P-N- переходами. В этом режиме проявляется сильная связзь между напряжениями базы и коллектора и ему соответствует начальный круто восходящий участок характеристики. Дальнейшее увеличение (-Uк) не приводит к изменениям Uб. При закрытии коллекторного P-N- перхода обратная связь остается, но во много раз меньше, чем при открытом состоянии.