Схема с ОБ.

Статические характеристики транзистора по схеме с ОБ снимают по следующей схеме:

Для уменьшения погрешности измерений необходимо правильно выбрать приборы и правильно их включить: милливольтметр PmV в цепи эмиттера должен быть высокоомным и включаться после миллиамперметра PmA1.

Для снятия в начальной области выходных коллекторных характеристик, когда напряжение Uк близко к нулю и сопротивление коллекторного перехода невелико, напряжение на коллекторе следует измерять милливольтметром (включать его вместо вольтметра).

Входные (а) и выходные (б) статические характеристики транзистора по схеме с ОБ.

Входные характеристики представляют собой зависимость I_Э=f(U_Э) при Uк=const. Для снятия входных характеристик устанавливают потенциометром Rк соответствующее значение. Изменяя потенциометром R_Э напряжение U_Э, находят соответствующие им величины I_Э. Видно (из рис. а), что входные характеристики транзистора типа P-N-P похожи на характеристики полупроводникового диода, включенного в прямом направлении. Это хорошо иллюстрируется характеристикой при Uк=0, когда у транзистора работает только один P-N- переход, к которому и приложено прямое напряжение U_Э. Сначала характеристика изменяется по экспоненциальному закону, а затем становится линейной. Такой ход характеристики объясняется тем, что при малых значениях напряжения U_Э не происходит достаточного снижения потенциального барьера P-N- перехода. Снижение потенциального барьера происходит с увеличением U_Э как прямого напряжения, приложенного к P-N- переходу, и осуществляется полностью на прямолинейном участке характеристики. При этом, ток I_Э ограничивается сопротивлениями эмиттера и базы, и сила его зависит от концентрации основных носителей тока в области эмиттера и базы, и мало зависит от напряжения на коллекторе; подтверждение этому- характеристики при Uк=-10 В и Uк=-30 В. С увеличением отрицательного напряжения Uк расширяется коллекторный переход и соответственно уменьшается ширина базы, в следствии чего сокращается время прохождения дырок эмиттера через базу в область коллектора. Возрастает возрастает ток коллектора и одновременно уменьшается ток базы (в виду сокращения ширины базы), что ведет к незначительным изменениям тока эмиттера I_Э и сдвигам характеристик влево.

Выходные характеристики представляют зависимость Iк=f(Uк) при I_Э=const. Сила коллекторного тока зависит от того, какое количество дырок, поступивших из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода (рис.б). При I_Э=0 выходная характеристика аналогична характеристике диода для режима обратного напряжения. Сила тока коллектора Iк при I_Э=0 зависит от концентрации неосновных носителей тока в базе (дырок) и в коллекторе (электронов) и при нормальных условиях составляет несколько микроампер. Как видно из характеристик, ток Iк достигает насыщения при небольших значениях Uк, т.е. сила тока Iк зависит от количества основных носителей тока (образующих ток I_Э), поступивших из эмиттера в базу, и в меньшей степени- от ускоряющего поля, созданного напряжением коллектора Uк.