Основные параметры туннельных диодов.

· пиковый ток Iп- прямой ток в точке максимума вольт- амперной характеристики (Iмах), при котором di/du=0;

· ток впадины Iв- прямой ток в точке минимума вольт- амперной характеристики (Imin), при котором di/du=0;

· отношение токов туннельного диода Iп/Iв- отношение пикового тока к току впадины;

· напряжение впадины Uв- прямое напряжение, соответствующее току впадины;

· напряжение раствора Uр- прямое напряжение, больше напряжения впадины, прри котором ток равен пиковому (точка С на рис.б);

· индуктивность диода Lvd- полная последовательная индуктивность диода при заданных условиях;

· удельная емкость туннельного диода Сvd/Iп- отношение емкости туннельного диода к пиковому току;

· дифференциальное сопротивление Rд- величина, обратная крутизне вольт- амперной характеристики;

· резонансная частота туннельного диода fо- расчетная частота, при которой общее реактивное сопротивление P-N- перехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль;

· напряжение пика Uп- прямое напряжение (U_А), соответствующее пиковому току.

К максимально допустимым параметрам относятся:

¨ максимально допустимый постоянный прямой ток туннельного диода Iпр.мах ;

¨ максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.мах;

¨ максимально допустимый постоянный обратный ток Iобр.мах;

¨ максимально допустимая рассеиваемая СВЧ мощность диода Р_{СВЧ. мах}.