Продукция полупроводниковой электроники

Номенклатура полупроводниковых приборов исключительно широка, она насчитывает десятки тыс. типов приборов, в основном кремниевых. Мировая промышленность выпускает свыше 10 млрд. дискретных полупроводниковых приборов и более 1 млрд. интегральных микросхем в год. Развитие микроэлектроники не отразилось существенным образом на темпах роста выпуска дискретных полупроводниковых приборов; потребность в них, по-видимому, будет сохраняться ещё длительное время. Появление разнообразнейших полупроводниковых приборов позволило осуществить сложные, зачастую принципиально новые электронные устройства и создать самостоятельную отрасль электронной промышленности — промышленность, производящую дискретные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы.

Выпускаемые промышленностью изделия полупроводниковой электроники характеризуются высокими эксплуатационными свойствами: они могут работать в диапазоне температур от —60 до +200 °С, выдерживать значительные механические и климатические нагрузки (вибрации, удары, постоянные ускорения, циклические изменения температуры, воздействие влаги и т.д.); они характеризуются интенсивностью отказов ~10^-6—10^-9 отказа в час в реальных условиях эксплуатации.

Перспективы развития. Развитие полупроводниковой электроники происходит в направлении быстрого возрастания степени интеграции, которая часто достигает 10—20 тыс. полупроводниковых приборов на одном кристалле, а также в направлении повышения мощности и частоты электромагнитных колебаний, преобразуемых в одном полупроводниковым приборе (до сотен вт и десятков Ггц), в том числе создания полупроводниковых генераторов и усилителей миллиметрового диапазона. Наряду с интеграцией большого числа сходных приборов развивается также интеграция в одной микросхеме приборов, использующих различные физические принципы. При этом, помимо физических процессов в полупроводниках, используют процессы в диэлектриках, сверхпроводниках (например, Джозефсона эффект), магнитных плёнках и т.д. полупроводниковые элементы, например, холодные катоды с полупроводниковыми гетеропереходами, полупроводниковые аноды с p—n переходом, в которых происходит умножение тока, матричные мишени видиконов, содержащие 0,5—1 млн. фотодиодов, проникают также в вакуумную электронику, позволяя существенно усовершенствовать некоторые типы электровакуумных приборов.