Высокочастотная коррекция. В широкополосных каскадах, работающих на следующий кас­кад с биполярным транзистором, очень хорошие результаты дает схема эмиттерной высокочастотной

В широкополосных каскадах, работающих на следующий кас­кад с биполярным транзистором, очень хорошие результаты дает схема эмиттерной высокочастотной коррекции(рис. 2.8.2), в кото­рой корректирующая цепочка R_э.кC_э.квключается в цепь эмитте­ра следующего каскада. Здесь R_э.ксоздает последовательную от­рицательную обратную связь по току, уменьшающую усиление каскада во всей полосе частот и стабилизирующую его свойства. Присоединяемый параллельно R_э.кконденсатор С_э.к очень малой емкости ослабляет обратную связь лишь на верхних частотах, что увеличивает усиление каскада при повышении частоты, компен­сируя его падение от влияния нагружающей каскад емкости С₀. Изменяя С_э.к, можно получить частотную характеристику на верх­них частотах как без подъема, так и с подъемом (рис. 2.8.2г), а переходную характеристику в области малых времен — без выбро­са или с выбросом нужной величины. Частотная характеристика без подъема с наиболее широкой полосой пропускания (наилучшая характеристика) получается при определенном соотношении постоянных времени цепочки эмиттерной стабилизации C_э.кR_э.к и входной цепи транзистора С_б.эR_экв.в; выигрыш в площади усиления при такой характеристи­ке схема дает около 1,5 раз, т. е. почти столько же, сколько дает параллельная коррекция индуктивностью. Критический выброс у схемы эмиттерной высокочастотной коррекции, как и у схемы параллельной коррекции, близок к 1 %.

Практика показала, что при эмиттерной коррекции сопротив­ление резистора R в цепи коллектора корректируемого каскада следует брать порядка входного сопротивления транзистора, на который работает рассчитываемый каскад; нужную полосу про­пускания или время установления каскада обеспечивают выбором глубины обратной связи, создаваемой резистором R_э.к. Если па­дение напряжения питания на R_э.кдостаточно для обеспечения необходимой стабильности точки покоя, то дополнительную ста­билизирующую цепочку R_эC_э исключают.

Отрицательная обратная связь, действующая в каскаде с эмиттерной коррекцией, снижает нелинейные искажения и помехи, уменьшает изменение коэффициента усиления каскада и его ха­рактеристик при замене транзисторов, их старении и изменении температуры, повышая надежность устройства; она также поз­воляет сильно уменьшить емкость конденсаторов С и С_э.сл (рис. 2.8.2а).

В широкополосных каскадах, работающих на следующий кас­кад с полевым транзистором, можно осуществить вы­сокочастотную коррекцию, аналогичную эмиттерной и называе­мую истоковой высокочастотной коррекцией. Однако такие схемы применяют редко, так как здесь лучшие результаты дает применение коррекции индуктивностью (см. рис. 2.7.4 и 2.7.6).

Высокочастотную коррекцию в каскаде, работающем на вход биполярного транзистора, можно осуществить параллельной об­ратной связью по напряжению, ослабляемой на верхних частотах индуктивностью L_c, включенной в цепочку обратной связи (см. рис. 2.8.1); такую коррекцию называют коллекторной высокочастот­ной. Если низкочастотная коррекция в каскаде не нужна, кон­денсатор С_с берут настолько большой емкости, чтобы он не ос­лаблял обратной связи на низшей частоте. Эта схема снижает коэффициент гармоник, повышает площадь усиления и стабильность показателей каскада; при ней входное сопротивление почти по­стоянно в полосе рабочих частот, тогда как при эмиттерной кор­рекции оно изменяется в десятки раз и более. Однако из-за боль­шого числа компонентов и наличия индуктивности, нежелатель­ной в малогабаритных конструкциях, такую коррекцию применя­ют редко.

В широкополосных каскадах высокочастотную коррекцию можно не применять, если верхняя усиливаемая частота и коэффи­циент усиления каскада без коррекции оказываются достаточны­ми, но даже и в этом случае коррекцию обратной связью неред­ко вводят для того, чтобы при старении транзисторов, их замене, изменении температуры и напряжения питания показатели уси­лителя были достаточно стабильными.