Применение, принципиальные и эквивалентные схемы
Как указывалось ранее, вследствие простоты, дешевизны, малых габаритных размеров и массы и хороших частотных и переходных характеристик резисторный каскад является основным типом каскада предварительного усиления как в транзисторных, так и в ламповых усилительных устройствах..
На рис. 2.5.1 приведены принципиальные схемы резисторных усилительных каскадов предварительного усиления с биполярным транзистором и с полевым транзистором, работающих на такие же следующие каскады;
Рис. 2.4.1. Резисторные промежуточные каскады предварительного усиления с резисторными входными цепями:
а — с биполярным транзистором; б — c полевым транзистором
сплошными линиями изображены те детали и цепи, которые определяют свойства каскада. Так как вспомогательные цепи, имеющиеся на схемах рис. 2.4.1 (цепочки фильтров СфRф, цепочки катодного смещения СкRк, эмиттерной стабилизации СэRэ и т. д.), не обязательны для резисторного каскада и могут в нем отсутствовать, то анализ свойств каскада можно упростить и проводить без учета влияния этих цепей. Для этого достаточно предположить, что емкости блокировочных конденсаторов этих цепей Сф, Ск, Сэ бесконечно велики и их сопротивления для частот сигнала равны нулю, тогда резисторы Rк,Rк,, Rэ окажутся для переменного тока накоротко замкнутыми и не войдут в эквивалентную схему каскада. При выполнении этих условий эквивалентные схемы каскадов, изображенных на рис. 2.4.1, составленные из эквивалентной схемы выходной цепи усилительного элемента рассматриваемого каскада, схемы .межкаскадной связи и эквивалентной схемывходной цепи усилительного элемента следующего каскада, примут вид, показанный на рис. 2.4.2.
Изображенная на эквивалентных схемах емкость См, (подключенная параллельно нагрузке, представляет собой емкость монтажа каскада, образуемую емкостью монтажных проводников и деталей схемы относительно шасси усилителя или общего провода.Емкость монтажа зависит от геометрических размеров и конструкции усилительных элементов и деталей, а также от их расположения. У каскадов с впаянными в схему транзисторами при миниатюрных деталях и правильном их расположении См=3..4 пФ.
Рис. 2.4.2. Эквивалентные схемы резисторных каскадов предварительного усиления, изображенных на рис. 2.5.1:
а - с биполярным транзистором; б - с полевым транзистором
Так как емкость конденсатора межкаскадной связи С резисторного каскада обычно на несколько порядков больше паразитных емкостей, включенных между верхним и нижним проводниками эквивалентных схем рис. 2.4.2, то все имеющиеся между верхним и нижним проводниками емкости без заметной погрешности можно заменить их суммой:
С0=Свых+См+Свх.э.сл . (2.4.1)
Схему рис. 2.4.2а можно еще упростить, заменив параллельно включенные сопротивления делителя смещения одним сопротивлением Rдел=Rд1слRд2сл/(Rд1сл+Rд2сл). После этого рассматриваемые эквивалентные схемы резисторных каскадов предварительного усиления (см.рис. 2.4.2); можно представить в обобщенном виде, изображенном на рис. 2.4.3.
Здесь Ег представляет собой ЭДС генераторам сигнала, равную mUп или mUвх; Rг — внутреннее сопротивление генератора сигнала, равное Rк.б или Ri в соответствии с обозначениями рис. 2.4.2. Сопоставляя схемы рис. 2.4.3 а и б, видим, что эквивалентная схема с биполярным транзистором отличается от схемы с полевым транзистором лишь тем, что содержит дополнительно сопротивления rб.сл и rб.э.сл, сумма которых представляет собой активную составляющую входного сопротивления транзистора следующего каскада.
Для получения более наглядных физических представлений о резисторном каскаде рассмотрим его свойства подробнее.
Дата добавления: 2015-01-09; просмотров: 1599;