Обратного напряжения

При подключении к выводам диода внешнего обратного напряжения ( ), ширина запирающего слоя на переходе увеличивается, растет высота потенциального барьера, а, следовательно, диод характеризуется высоким сопротивлением. Создаваемое внешнее электрическое поле с напряженностью - будет совпадать по направлению с (рис. 1.1.2.), тем самым, повышая потенциальный барьер.

Суммарное поле препятствует переходу основных носителей заряда в область базы, однако оно же способствует (извлечению) экстракции неосновных носителей заряда (в данном случае электронов) из области эмиттера в область базы, которые образуют обратный ток диода .