Позначення

Питання 8

Вхідні та вихідні характеристики транзисторів, пояснити основні залежності.

Входные характеристики – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Для схемы с общей базой ( Входная характеристика выражает связь между током базы i6 ( являющимся для этой схемы входным) и напряжением между эмиттером и базой иъ (, при постоянном значении напряжения между коллектором и эмиттером)

I_Э = f (U_БЭ) при U_БК = const.

Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения U_КЭ носители заряда быстрее пролетают базу, рекомбинируют, следовательно, и ток базы уменьшается. Поэтому характеристика при U_КЭ > 0 будет проходить ниже.

Резистором R₁ изменяется напряжение база-эмиттер, а резистором R₂ поддерживается постоянным U_БК. Обычно входные характеристики измеряются при двух значениях постоянного напряжения U_БК (рис. 1.9, а).

Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе. Для схемы включения с общей базой

I_К = f (U_БК) при I_Э = const.

Выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения.

Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера.

Рис. 1.9. Статические характеристики транзистора с ОБ: а – входные; б – выходные

Входная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рис. 1.11, а)

I_Б = f (U_БЭ) при U_БК = const.

Выходная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рис. 1.11, б)

I_К = f (U_КЭ) при I_Б = const.

Рис. 1.11. Статические характеристики транзистора с ОЭ(общим эмитером): а – входные; б – выходные

Питання 9

Польові транзистори: транзистор із затвором у вигляді pn переходу, фізичні процеси, схемне позначення, вхідні та вихідні характеристики

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом^[ — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например n-типа имеет на противоположенных концах электроды (сток и исток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Управляющая цепь, подключается к третьему электроду (затвор) и образована областью с другим типом проводимости, в данном случае p-типом.

Источник питания, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемых колебаний. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя (n-канал), то есть площадь поперечного сечения области, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

(Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярность напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, в следствии чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток в канале транзистора станет весьма малым. В связи с незначительностью обратных токов p-n-перехода, мощность источника сигнала ничтожно мала.)

Питання 10

Польові транзистори з ізольованим затвором: транзистори з вмонтованим каналом: будова, фізичні процеси, відмінності, області використання.

Если пустить заряд + возле затвора, то заряды в транзисторе будут стремится к затвору но на пути попадут в канал и ток увеличится.