Расчет ДН МПАР на основе приближенной модели

Настоящий пункт выполняется на основе математической модели, приведенной в разд. 7.2.

Исходные данные к расчету:

1. Размеры одиночного элемента 31×46 мм.

2. Период в Е-плоскости 62 мм.

3. Период в Н-плоскости 71 мм.

4. Толщина диэлектрика 5 мм.

5. Относительная диэлектрическая про­ницаемость подложки – 1,05 (пенополиэтилен).

Ниже представлены результаты расчета ДН МПА и МПАР на основе приведенных в разд. 7.2 соотношений для синфазной равноамплитудной МПАР той же геометрии, что и исследуемая в данной работе МПАР, но выполненной на подложке с диэлектрической проницаемостью 3 на частоте 2.6 ГГц.

7.4.4. Измерение отношения «вперед/назад»

Для этого в режиме измерения ДН ориентировать МПАР на приемную рупорную антенну по максимуму излучения, затем, развернув исследуемую антенну строго на 180°, снять показания с индикаторного блока.

Рис. 7.9

7.4.5. Измерение ДН по кросс поляризации
(выполняется по указанию преподавателя)

В режиме измерения ДН следует развернуть приемную рупорную антенну вокруг своей продольной оси на 90°, затем снять угловую зависимость ДН аналогично п. 7.4.2.

Примечание: Следует иметь в виду, что при выполнении измерений ДН в некоторых направлениях уровень принимаемого сигнала может быть довольно низким (–15…–30 дБ по отношению к главному лепестку).

7.4.6. Расчет характеристик МПАР на основе моделирования
в специализированном пакете

Данный пункт выполняется по указанию преподавателя с помощью вспомогательного файла, который находится на ПК, установленном в лаборатории антенн (ауд. 2233), путь к вспомогательному файлу C:\stud\microstrip array\model\9el_array. В модели реализуется следующий подход: вначале проводится электродинамическое моделирование одиночного элемента АР, а затем схемотехническими средствами исследуется частотная зависимость входного КСВ всей МПАР.