Размножение дислокаций

Дислокация, закрепленная между двумя неподвижными точками A и B, в отсутствии внешних сил спрямляется (рис.18).

 

Рисунок 18. Равновесная форма сегмента дислокации с закрепленными концами в точках A и B при однородном напряжении.

Касательное напряжение τ, приложенное в плоскости скольжения в направлении вектора сдвига , создает силу F=τn b, действующую в плоскости, направленную по нормали к оси дислокации и искривляющую ее, поскольку точки A и B закреплены.

Эта сила уравновешена в точках A и B натяжением дислокации T=aд .

Критический радиус кривизны, при котором дислокация теряет устойчивость (изогнется в полуокружность) . В этой точке сила, искривляющая на участке длиной L (расстояние между точками A и B) ось дислокации, уравновешивается силой натяжения 2T=FL. Отсюда следует, что радиус кривизны в момент потери устойчивости связан с силой натяжения и силой, искривляющей дислокацию до полуокружности:

.

Таким образом, потеря устойчивости сегмента дислокации наступает при условии работы источника Франка-Рида:

Искривление дислокации после потери устойчивости спонтанное (рис. 19а).

Уровень напряжения пластического течения (от монокристаллов чистых металлов до высокопрочных сплавов) ~10-4–10-2. Следовательно, при пластической деформации работают в основном источники с базой L/b~102 – 104

Источник Франка-Рида – главный путь рождения дислокаций в кристалле. Его производительность ограничена полями испущенных дислокаций (рис. 19б) – или пределами зерна (рис. 19в). Дислокации, испущенные одним источником одноименные – их взаимодействие отталкивание. Поэтому источник, испустив 10 … 20 дислокаций, может «развалиться» – сегмент АВ покинет плоскость генерации дислокаций под действие поля либо собственной серии дислокаций . либо дислокаций от других источников.

 

Рисунок 19. Движение дислокации после потери устойчивости сегмента АВ: а – все ветви расположены в одной плоскости (потеря устойчивости приводит к отрыву от точек закрепления); б – дислокация расположена в плоскости скольжения только на участке АВ (потеря устойчивости порождает петлю и новый сегмент) – источник Франка-Рида; в – ограничение площадки скольжения повышает напряжение размножения (критическое препятствие – проход AD<AB); г – однополюсный источник с выходом на свободную поверхность.

На замкнутой площадке τкр может определяться не базой АВ, а некоторым меньшим расстоянием от А или В до препятствия D (рис 19в), поэтому, в частности длина базы L не может быть более 1/3 диаметра зерна d в плоскости скольжения.

В однополюсном источнике дислокация с одной закрепленной точкой А порождает не связанные друг с другом полупетли при условии выхода дислокаций на свободную поверхность кристалла (рис. 19г) – его база больше, чем у двухполюсного источника (до d/2) и меньше τкр.

 








Дата добавления: 2015-03-20; просмотров: 1432;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.