Источник света. СИД.

Светоизлучающий диод –полупроводниковый диод на базе p-n или гетероперехода, излучающий квант света при протекании через него прямого тока. Работает на малых скоростях (до 150 Мбит/с, т.е. в ПЦИ). СИД имеет большую числовую апертуру, поэтому используется в многомодовых волокнах; излучения света некогерентно, ширина спектра 30 – 60 нм; используется в системах передачи с одной или двумя длинами волн (где нет уплотнения); малая эффективность (1% мощности вводится в волокно). Различают: с излучение в видимой части спектра (0.39 ÷ 0.77 мкм), с излучением в инфракрасной части света (0.8÷1.6 мкм). Используемые материалы: GaP(красный свет), GaAsP(оранжевый).

Конструкция СИД:

Представляет собой структуру с плоской геометрией. На подложке из GaAs наращивается слой GaAS_(1-x)P_x (переменный состав), а затем сверху слой GaAsP(постоянный состав). Переходный слой из переменного состава нужен для того, чтобы ограничить образование безизлучательных центров, обусловлен различием решеток в разных слоях. Для уменьшения процента поглощения используют подложку из GaP 25% поглощения, GaAs 80%. Также существует сферическая конструкция. Такие структуры более эффективны, работает в инфракрасном диапазоне. Работает в первом окне прозрачности λ=0.9 мкм.

Также СИД различают:

1) С излучающей поверхностью

2) С излучающим срезом

+ Не дороги в производстве, обладают большой шириной спектра (30-60 нм).

- Маленькая вых. мощность, неэффективность при вводе в ОВ.