Справочные данные по элементной базе инверторов и преобразователей частоты
Справочные данные по транзисторам
Мощные транзисторы полевые, корпус ТО220
Таблица 7
| Тип/Пр-ль | Технология | Uс-и.max, В | Iс.N,A | ∆Uси,В | Pmax, Вт | |
| IRF1104/IR | N,NEX | 2-4 | ||||
| IRF1405/IR | N,NEX | 2-4 | ||||
| IRF710/Its | N,MOS | 2-4 | ||||
| BUZ80A/Ph | N,MOS | 2,1-4 | ||||
| IRF620/STM | N,MOS | 2-4 | ||||
| IRF740/IR | N,NEX | 2-4 | ||||
| IRF6215/IR | P,NEX | -150 | (-2)-(-4) | |||
| IRF9530N/IR | P,NEX | -100 | (-2)-(-4) | |||
| IRF9540N/IR | P,NEX | -100 | (-2)-(-4) | |||
| IRF5305N/IR | N,NEX | -55 | (-2)-(-4) | |||
| IRF5210N/IR | N,NEX | -100 | (-2)-(-4) | |||
| IRF3710/IR | N,NEX | 2-4 | ||||
| IRF3707/IR | N,NEX | 2-4 | ||||
| IRF3706/IR | N,NEX | 0,6-2 | ||||
| IRF1010N/IR | N,NEX | 2-4 | ||||
| STP80NF10/STM | N,MOS | 2-4 | ||||
| STP12NB30/STM | N,MOS | 3-5 | ||||
| STP80NF10/STM | N,MOS | 3-5 | ||||
| STP80NF10/STM | N,MOS | 2-4 | ||||
| STP80NF10/STM | N,MOS | 5,4 | 3-5 | |||
| STP80NF10/STM | N,MOS | 3-5 | ||||
Мощные транзисторы полевые, корпус Module-s
Таблица 8
| Тип прибора | Iс.max, A | Uс-и раб. В | Pmax, Вт | Rс-и нас. mОм | Iзи max, mA | Rпер-корп. 0С/mВт | Θmax раб. 0С |
| EFM119 | |||||||
| EFM109S | |||||||
| EFM089S | |||||||
| EFM079M113 | |||||||
| EFM049 | |||||||
| BSM181F | |||||||
| BSM151F | |||||||
| BSM121AR | |||||||
| BSM111AR | 8,5 | ||||||
| EFM029S | 7,0 | 1,1 | |||||
| IRFPO64N | 8,0 | ||||||
| IRF540 | |||||||
| IRF11010N | |||||||
| IRF3710 | |||||||
| BUZ102S4 |
Мощные транзисторы полевые отечественные
Таблица 9
| Наим. изделия | Тип корпу-cа | Uс-и.max, В | Iс.N,A | ∆Uc-и В | Pmax, Вт | tсп., нс | tвкл., нс | tрасс.мкс |
| КП946А | ТО220 | 0,7 | 0,7 | |||||
| КП948А | ТО220 | 0,3 | 1,3 | |||||
| КП948В | ТО220 | 0,3 | 1,3 | |||||
| КП953А | ТО218 | 0,45 | 2,0 | |||||
| КП953Г | ТО218 | 0,45 | 2,0 | |||||
| КП954А | ТО220 | 0,3 | 0,3 | |||||
| КП954Б | ТО220 | 0,3 | 0,3 | |||||
| КП954В | ТО220 | 0,25 | 0,5 | |||||
| КП955А | ТО218 | 0,6 | 1,5 | |||||
| КП958А | ТО218 | 0,2 | 0,5 | |||||
| 2П7160Е | КТ-97В | 0,12 | - | - | - |
Транзисторы IGBT, корпус ТО220
Производитель International Rectifier
Таблица 10
| Тип | Uкэ. max, В | Iк.,А | ∆Uкэ.нас.,В | Pк.max, Вт | tвкл., нс |
| IRG4BC10К | 2,39 | ||||
| IRG4BC10SD | 1,58 | ||||
| IRG4BC20F | 1,66 | ||||
| IRG4BC20SD | 1,40 | ||||
| IRG4BC20UD | 1,85 | ||||
| IRG4BC30FD | 1,59 | ||||
| IRG4BC30FD | 2,21 | ||||
| IRG4BC30S | 1,40 | ||||
| IRG4BC30U | 1,95 | ||||
| IRG4BC40F | 1,50 | ||||
| IRG4BC30S | 1,72 |
Высоковольтные IGBT транзисторы
Таблица 11
| Наименов. изделия | Uкэ | Iк max, A | ∆Uкэ нас В | Uупр. В | Pк max, Вт | tвкл+tвыкл мкс | fперек max., кГц |
| ВUР213 | 3,3 | 5,5 | 0,045 | ||||
| ВUР309 | 3,5 | 5,5 | 0,055 | ||||
| ВUР314 | 2,7 | 5,5 | 0,065 | ||||
| ВUР314D | 2,7 | 5,5 | 0,065 | ||||
| ВUР314S | 5,5 | 5,5 | 0,06 | ||||
| PM10CZF120 | 2,7 | 6,0 | 2,1 | ||||
| PM15CZF120 | 2,7 | 6,0 | 2,1 | ||||
| PM100CZA120 | 2,3 | 6,0 | 2,9 | ||||
| PM300DSA120 | 2,3 | 6,0 | 2,9 | ||||
| PM300DSA120 | 2,5 | 6,0 | 3,4 |
Мощные транзисторы биполярные отечественные
Таблица 12
| Наим. изделия | Тип корп. | Uкэ огр.,В | Uкбо проб., В | Iк max, A | Iк,и max, А | Pк max, Вт | h21э ед. | ∆Uкэ нас., В | tрасс. мкс | tсп, мкс |
| КТ704 | КТ-10 | 2,5 | 4,0 | 10-100 | ≤5,0 | - | - | |||
| КТ810А | КТ-28 | 7,0 | 10-50 | ≤1,0 | ≤4,0 | ≤0,3 | ||||
| КТ812А | КТ-9 | 12,0 | 5-30 | ≤2,5 | ≤3,5 | ≤1,3 | ||||
| КТ818А | КТ-28 | 8,0 | 10-60 | ≤0,5 | ≤1,8 | ≤0,3 | ||||
| КТ826Б | КТ-9 | 1,0 | 10-120 | ≤2,5 | ≤2,5 | ≤0,7 | ||||
| КТ838А | КТ-9 | 7,5 | 6-35 | ≤1,0 | ≤10 | ≤1,5 | ||||
| КТ844А | КТ-9 | 10-50 | ≤2,5 | ≤2,0 | ≤0,3 | |||||
| КТ846А | КТ-9 | 7,5 | 15-100 | ≤1,5 | ≤4,0 | ≤0,3 | ||||
| КТ847А | КТ-9 | 25,0 | ≥8 | ≤1,5 | ≤3,0 | ≤0,8 | ||||
| КТ858А | КТ-28 | 10,0 | ≥10 | ≤1,0 | ≤2,5 | ≤0,7 | ||||
| КТ935Б | КТ-97 | 30,0 | 15-50 | ≤1,0 | ≤1,5 | ≤0,2 | ||||
| КТ997А | КТ-28 | 20,0 | ≤1,0 | ≤0,5 | ≤0,1 | |||||
| 2КТ945А | КТ-9 | 25,0 | 12-60 | ≤2,5 | ≤1,1 | ≤0,24 | ||||
| 2КТ998 | КТ-10 | 15,0 | ≥30 | ≤1,5 | ≤0,2 | ≤0,05 | ||||
| 2Т827А | КТ-9 | ≥750 | ≤2,0 | ≤4,5 | ≤1,2 | |||||
| 2Т834А | КТ-9 | ≥150 | ≤2,0 | ≤6,0 | ≤0,5 |
Мощные импортные транзисторы биполярные
Таблица 13
| Наим. изделия | Uкэ огр.,В | Iк max, A | Pк max, Вт | h21э ед. | ∆Uкэ нас., В | tрасc. мкс | tсп, мкс | Rпер-корп. 0С/mВт | Θmax раб., 0С |
| 1D200AO20 | 2,5 | 2,0 | 3,0 | ||||||
| 1D1200Z100 | 2,8 | 2,5 | 2,0 | ||||||
| 1D1300A000 | 2,0 | 2,5 | 1,2 | ||||||
| 1D1300Z100 | 2,8 | 2,5 | 2,0 | ||||||
| 1D130F050 | 2,0 | 3,0 | 4,0 | ||||||
| 1D1400A120 | 2,5 | 3,0 | 3,0 | ||||||
| 2SD915 | 2,0 | 3,0 | 4,0 | ||||||
| B2TD019 | 2,5 | 2,5 | |||||||
| B2TD039 | 2,5 | 0,5 | 1,8 | ||||||
| B2TD059 | 2,5 | 1,8 | 1,8 | ||||||
| B2TD109 | 2,5 | 1,2 | 0,9 | ||||||
| B2TD139S | 2,5 | 3,0 | 3,0 | ||||||
| B2TD149 | 2,5 | 1,0 | 0,5 | ||||||
| SK75DB060D | 2,5 | 2,5 | 3,0 | ||||||
| SK75DB100D | 2,5 | 2,5 | 3,0 | ||||||
| SK50DM060D | 2,0 | 1,5 | 3,0 | ||||||
| SK50DB100D | 2,5 | 2,5 | 3,0 | ||||||
| SK30DB045D | 3,0 | - | 0,7 | ||||||
| SK15DB080D | 3,0 | - | 1,5 | ||||||
| SK30DB100D | 2,5 | 2,5 | 3,0 | ||||||
| SK150DB060D | 2,5 | 3,0 | 3,0 |
Дата добавления: 2019-04-03; просмотров: 487;