Основные режимы работы ЗУ.

1) Запись информации (Write или W) в какую-либо ячейку. Осуществляется с изменением состояния физической среды ЗУ.

2) Считывание (Read или R) информации из ячейки памяти (выборка или воспроизведение) в процессор или регистр. При этом состояние параметров физической среды не меняется. В противном случае параметры физической среды необходимо восстанавливать. Процесс восстановления называется регенерацией.

3. Режим поиска – процесс нахождения ячейки памяти, к которой необходимо обратиться (для записи или считывания).

а)адресное ЗУ – это когда все ячейки памяти пронумерованы и обращение к ячейке ведётся по заданному номеру.

б)безадресное ЗУ. Здесь различают:

- ассоциативные ЗУ – это когда поиск ячейки памяти ведётся по её содержимому;

- магазинного типа – это стек, очередь и другие виды ЗУ цепочечного типа;

- ЗУ гнездового типа, т.е. обращение к ячейкам памяти определяется микропрограммой (данные находятся в строго определённых ячейках памяти, которые не надо указывать).

4) Специальные режимы работы .

а) считывание - модификация – запись.Состоит из четырёх этапов: первый

этап – это поиск ячейки памяти; второй – это считывание ячейки памяти; третий этап – это модификация данных; и последний этап – это запись изменённых данных в ту же ячейку памяти не меняя параметров поиска.

б)групповя запись и групповое чтение. Реализуется с конверизацией формирования адреса следующей ячейки памяти и записью (считыванием) данных в предыдущую ячейку памяти.

5) Режим хранения – это поддержание состояния ЗУ безизменения параметров элементов памяти.

а)ЗУБРН – ЗУ без разрушения информации при отключенном питании. Это, например, ЗУ на магнитных элементах.

б)ЗУ, которые хранят информацию только при включенном питании. Это, например, полупроводниковые оперативные ЗУ. Здесь выделяют два вида:

- статистические ЗУ;

- динамические ЗУ.

В статистических ЗУ используются бистабильные триггеры. Динамические ЗУ делятся на:

1.Рециркуляционные ЗУ, это когда информация всё время находится в движении;

2. На запоминающих микросхемах динамического типа. В них элементом памяти является электронный ключ на полевом транзисторе. Сопротивление затвора транзистора очень высокое (10 МОм и больше), поэтому заряд на затворе рассасывается достаточно медленно. Чтобы информация не потерялась, величину заряда на затворе необходимо восстанавливать. Время восстановления £ 4 мкс – это есть время регенерации . Для восстановления заряда в запоминающих микросхемах (ЗМ) памяти предусмотрены усилители регенерации (наиболее распространены ЗМ со строчной регенерацией, в которой усилитель регенерации стоит один на всю строку элементов памяти).

Способы обращения к ЗУ:

1. Ленточные.

2. Вращающиеся (диски и барабаны).

3. Матричные.

4. Лучевые (когда поиск информации ведётся электронным лучём, например масочные ЗУ, лазерные ЗУ, голографические ЗУ ).

По способу обращения ЗУ делят на две группы:

- ЗУ с произвольным доступом;

- ЗУ с последовательным доступом.