Принцип действия транзистора
Рис. 4.2. Структура транзистора (а) и распределение концентраций основных и неосновных носителей (б) и распределение потенциала вдоль структуры (в)
|
| в) |
| б) |
| а) |
p-n-p-типа (рис. 4.2). Если эмиттерный переход (ЭП) сместить в прямом направлении, а коллектор в обратном, то потенциальный барьер ЭП снизится и станет равным Uоэ – Uэ, а потенциальный барьер коллекторного перехода (КП) повысится и станет равным
Uок + Uк. Одновременно уменьшится толщина ЭП, и увеличится толщина КП, причем увеличение толщины запирающего слоя произойдёт в основном в сторону базы, так как проводимость ее много меньше, чем проводимость коллектора.
Снижение потенциального барьера на ЭП вызовет инжекцию дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер, появляется эмиттерный ток (Iэ), который состоит из двух составляющих:
Iэр + Iэn.
Так как рэ >> nб, то дырочная составляющая тока эмиттера оказывается много больше электронной составляющей Iэр >> Iэn, которая замыкается через цепь базы и не участвует в создании коллекторного тока. Поэтому её и стремятся сделать по возможности малой. Для цепи базы она является одной из составляющих тока базы.
В результате инжекции дырок из эмиттера концентрация их в базе у границы ЭП увеличивается и может значительно превышать равновесную, в то время как концентрация дырок у КП вследствие их экстракции практически равна нулю. Таким образом, распределение концентрации неосновных неравновесных дырок в базе имеет вид (рис. 4.2, а), т.е. возникает градиент концентрации дырок. Градиент концентрации вызывает диффузионное движение инжектированных дырок через базу от эмиттера к коллектору.
В процессе диффузии дырок к КП часть их рекомбинирует с электронами базовой области. Для сохранения нейтральности базы в неё входят электроны из внешней цепи, образуя рекомбинационный ток базы (Iб.рек).. Поскольку концентрация электронов в базе незначительна, по сравнению с концентрацией инжектированных из эмиттера дырок, и диффузионная длина дырок значительно больше толщины базы, вероятность рекомбинации мала и основная часть дырок достигает КП. Дырки, достигшие КП, попадают в его ускоряющее поле и перебрасываются в коллекторную область, создавая ток коллектора.
Чем больше дырок инжектируется эмиттером, тем больше градиент концентрации дырок в базе, тем большее их количество достигает коллектора, увеличивая его ток. Следовательно, ток коллектора пропорционален току эмиттера:
Iкр = αIэ.
Он называется управляемым током коллектора. Возможность управлять выходным током транзистора при изменении входного тока – важное свойство биполярного транзистора. Оно позволяет использовать его в качестве активного элемента различных схем. Коэффициент пропорциональности (α) называется коэффициентом передачи тока эмиттера и составляет 0.95...0.99.
Кроме Iкр в цепи коллектора протекает небольшой собственный обратный ток КП, не зависящий от тока эмиттера. Его обозначают Iкбо.
Таким образом, полный ток коллектора равен:
Iк = α Iэ + Iкбо.
Между токами трех электродов транзистора существует зависимость, описываемая соотношением:
Iэ = Iк + Iб.
Из этих соотношений следует, что ток базы связан с током эмиттера следующим образом:
Iб = (1 – α) Iэ – Iкбо.
Дата добавления: 2016-02-16; просмотров: 674;