МОП-транзисторы со встроенным каналом

МОП-транзистор со встроенным каналом отличается от МОП-тран-зистора с индуцированным каналом лишь тем, что зоны истока и стока соединены токопроводящим каналом, содержащим некоторое количество основных носителей, соответствующих этим зонам. Наиболее часто встречаются транзисторы со встроенным каналом n-типа. В МОП-транзисторе со встроенным каналом на затвор может подаваться напряжение обеих полярностей. При подаче положительного напряжения электроны «втягиваются» в n-канал, тем самым обогащая его основными носителями заряда (режим обогащения). При подаче отрицательного напряжения электроны из канала «выталкиваются» в подложку, тем самым канал будет обедняться основными носителями заряда (режим обеднения).

Рис. 11.5. Структура МОП-транзистора со встроенным каналом n-типа

Стоково-затворные характеристики такого транзистора смещены по горизонтальной оси и располагаются в районе нулевых значений U_ЗИ.

Рис. 11.6. Стоково-затворная характеристика МОП-транзистора
со встроенным каналом n-типа (U_ЗИН – напряжение затвор – исток насыщения)

Стоковые характеристики отличаются только наличием значений ±U_ЗИ.

Рис. 11.7. Стоковая характеристика МОП-транзистора со встроенным каналом n-типа