Фотопроводимость полупроводников

Если облучать полупроводник электромагнитным излучением, то в нем могут появиться свободные заряды (электроны, дырки).

Явление возникновения свободных носителей зарядов (электронов, дырок) в полупроводнике при облучении его электромагнитным излучением называется внутренним фотоэффектом или фотопроводимостью полупроводника.

Внутренний фотоэффект возможен при условии, чтобы энергия электромагнитного излучения (энергия фотонов) была не меньше ширины запрещенной зоны (энергии активации) для собственного полупроводника или не меньше энергии ионизации для примесного полупроводника.

или .

Тогда для полупроводника существует красная граница внутреннего фотоэффекта – это минимальная частота или максимальная длина волны , с которой внутренний фотоэффект начинается

, Гц; , м – для собственных полупроводников;

, Гц; , м – для примесных полупроводников.

При увеличении освещенности увеличивается количество свободных зарядов (электронов, дырок), что ведет к снижению электрического сопротивления.

Сильная зависимость сопротивления полупроводников от освещенности используется в фоторезисторах (фотореле, датчики метро и т. п.).