Резидентная память МК

Закрытая архитектура современных 8-разрядных МК стала реализуемой лишь при условии интеграции на кристалл МК модулей памяти двух типов: энергонезависимого ЗУ памяти программ и ОЗУ памяти данных.

С момента появления МК технология ПЗУ претерпела множество изменений, что привело к повышению быстродействия, информационной емкости, надежности хранения информации и появлению принципиально новых технологий программирования РПП.

Различают пять типов ПЗУ:

· ПЗУ масочного типа — mask-ROM. Самое простое, надежное, но экономически оправдано при партии в несколько десятков тысяч штук;

· ПЗУ, однократно программируемое пользователем — OTPROM (One-Time Programmable ROM). Рекомендуется в изделиях, выпускаемых небольшими партиями;

· ПЗУ, программируемое пользователем, с ультрафиолетовым стиранием — ЕPROM (Erasable Programmable ROM). Имеют высокую стоимость. Рекомендуется только в опытных образцах изделий;

· ПЗУ, программируемое пользователем, с электрическим стиранием — ЕЕPROM (Electrically Erasable Programmable ROM). Побайтовое стирание и запись информации. Имеют ограниченную емкость;

· ПЗУ с электрическим стиранием типа FLASH — FLASH ROM. Транзистор адресации каждого бита удален. Программирование и стирание осуществляется страницами (8, 16 или 32 байта) или блоками (до 60 Кбайт). Снижение стоимости и размеров делает FLASH ROM конкурентным даже с масочным ПЗУ.

В ранних разработках повышенное напряжение для программирования подавалось на один из выводов МК. В новейших версиях ЕЕPROM и FLASH ПЗУ содержат встроенные схемы повышающих преобразователей напряжения — генераторы накачки. Допускается включение и отключение генераторов накачки посредством установки битов в регистре специальных функций модуля памяти без остановки выполнения прикладной программы. Появляется возможность программирования под управлением программы (FLASH ПЗУ используется для хранения программы, а ЕЕPROM — для хранения изменяемых в процессе эксплуатации настроек пользователя.

ОЗУ РПД всегда статического типа, что допускает снижение частоты тактирования до сколь угодно малых значений с целью снижения энергии потребления. Уровень напряжения хранения информации в режиме микропотребления порядка 1 В, что позволяет перейти на питание от батарейки. Появились МК со встроенным в корпус автономным источником питания, гарантирующим сохранность данных в ОЗУ в течение 10 лет (МК DS5000 фирмы Dallas Semiconductor).