Получение полупроводникового материала

Материалами, используемыми для изготовления ИМС, являются кремний и арсенид галлия. Однако ИМС делают в основном на кремнии, так как технология ИМС на арсениде галлия более сложная и не столь хорошо отработанная, как на кремнии. Поэтому кремний является базовым полупроводниковым материалом для ИМС. Для этого он должен быть хорошо очищен и иметь монокристаллическую структуру.

В массовом производстве кремний получают восстановлением из песка (SiO₂) в смеси с коксом (С) при высоких температурах. Полученный кремний называется техническим. Его чистота (98 %) и структура поликристалла не позволяют использовать такой кремний для изготовления ИМС.

Далее производится его глубокая очистка, для чего кремний переводится в легколетучее соединение, которое может быть легко очищено различными физическими, химическими, физико-химическими методами. После очистки кремний восстанавливается, его чистота называется «полупроводниковой», содержание примесей не превышает 10^-8 %. Для получения кремния самой высокой чистоты используется метод зонной плавки, основанный на том, что примеси хорошо растворяются в жидкой фазе (расплаве) и гораздо хуже в твердой фазе. Создавая расплавленную узкую зону в слитке и проходя этой зоной вдоль слитка, расплавленная зона собирает в себя примеси. Проводя зонную плавку многократно, можно получить максимально возможную чистоту материала. Для кремния проводится вертикальная бестигельная зонная плавка, так как примеси тигля могут загрязнять кремний рис. 3.1.

Рис. 3.1. Схема зонной плавки кремния:

1 – монокристалл, 2 – расплавленная зона, 3 – индуктор, 4 – поликристалл

Выращивание монокристаллов обычно проводится методом Чохральского – рис. 3.2.

Рис. 3.2. Метод Чохральского:

1 – затравка, 2 – шейка монокристалла, 3 – фронт кристаллизации, 4 - преохлажденная зона, 5 – тигель, 6 - нагреватель

Это метод вытягивания монокристалла из расплава на затравку. Затравкой является небольшой монокристалл кремния, он и задает ориентацию будущего слитка. Одновременно в расплав вводится дозированное количество легирующей примеси (доноров или акцепторов). Поэтому монокристаллические слитки имеют заданный тип проводимости, удельное сопротивление ρ монокристаллов определяется концентрацией введенной примеси N_пр:

ρ = = , (3.1)

где μ – подвижность носителей заряда, δ - электропроводность кремния. Слаболегированные монокристаллы выращивают методом зонной плавки.

Монокристаллические слитки кремния имеют цилиндрическую форму. Метод Чохральского позволяет регулировать диаметр монокристаллов в широких пределах, в настоящее время максимальный диаметр слитков составляет 450 мм - рис. 3.3.

Рис. 3.3. Монокристалл кремния диаметром 450 мм