Основные параметры тиристоров.

Напряжение включения (Uвкл) – это напряжение, при котором ток через динистор на-

чинает сильно возрастать.

Ток включения (Iвкл) – это ток, соответствующий напряжению включения.

Ток выключения (Iвыкл) – это минимальный ток через тиристор, при котором он

остаётся ещё во включённом состоянии.

Остаточное напряжение (Uост) – это минимальное напряжение на тиристоре во вклю-

чённом состоянии.

Ток утечки (Io) – это ток через тиристор в выключенном состоянии при заданном

напряжении на аноде.

Максимально допустимое обратное напряжение (Uобр.max).

Максимально допустимое прямое напряжение (Uпр.max).

Время включения (tвкл) – это время, за которое напряжение на тиристоре уменьшится

до 0,1 напряжения включения.

Время включения (tвыкл) – это время, за которое тиристор переходит из включённого в

выключенное состояние.

Тринисторы.

Тринисторы можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора.

Для этого достаточно на одну из баз подать дополнительное напряжение таким образом, что-

бы создаваемое им поле совпадало по направлению с полем анода на коллекторном переходе.

Можно подать ток управления на вторую базу, но для этого на управляющий электрод необхо-

димо подавать напряжение отрицательной полярности относительно анода, и поэтому разли-

чают тринисторы с управлением по катоду и с управлением по аноду.

На рисунках 114 – 119 изображены условные графические обозначения (УГО) рассматривае-

мых в данной теме приборов. На рисунке 114 – УГО динистора, на 115 – тринистора с управ-

лением по катоду, на 116 – тринистора с управлением по аноду, на 117 – неуправляемого си-

мистора, на 118 – симистора с управлением по аноду, и на 119, соответственно, симистора с

управлением по катоду.

Маркировка расшифровывается так:

КН102Б – кремниевый динистор; КУ202А – кремниевый тринистор. Первая буква «К» обозна-

чает материал кремний. Вторая – тип прибора – динистор или тринистор. Третья группа –

трёхзначный цифровой код, и четвёртая группа, расшифровываются так же, как и все рассмот-

ренные ранее полупроводниковые приборы.