Рентгенівський спектральний мікроаналіз

Досліджувану поверхню опромінюють електронним променем (зондом), при цьому виникає рентгенівське випромінювання у вигляді суцільного і характеристичного спектрів. Характеристичний рентгенівський спектр містить лінії, характерні для даного хімічного елемента. У такий спосіб можна виявити елементи, що входять до складу поверхневого шару, а вимірюючи інтенсивність характеристичних ліній, можна робити кількісний аналіз. Електронний зонд має діаметр порядку 1 мкм. Мінімальна концентрація, яка визначається кращими мікроанализаторами досягає чутливості до 10-3%. Рентгенівські мікроанализатори випускаються серійно.

Дифракція повільних електронів

Поверхня опромінюється променем електронів низької енергії (менше 500 еВ ). Проникаюча здатність такого променя усього декілька атомних діаметрів, це дозволяє досліджувати саме поверхневі шари. Метод базується на вивченні дифракційної картини, що виникає в результаті розсіювання електронів атомами кристалічної гратки. Застосовується в основному для дослідження структури поверхні, наприклад, для визначення періоду кристалічної решітки. Прилади для дослідження структури поверхневих шарів методом дифракції електронів називаються електронографами.