Организация модулей памяти

Общепринятой «потребительской» характеристикой модуля памяти является его объем (емкость), выраженный в байтах — точнее, учитывая современный уровень используемых объемов памяти — в гигабайтах.

Ширина модуля — это разрядность его интерфейса шины данных, которая соответствует разрядности шины данных контроллера памяти. Для всех современных типов контроллеров памяти высокопроизводительных процессоров она составляет 64 разряда. Каким же образом достигается соответствие между 64-разрядной шириной шины данных контроллера памяти (64-разрядным интерфейсом модуля памяти), когда типичная ширина внешней шины данных микросхем памяти обычно составляет всего 4, 8 или 16 разрядов? Ответ очень прост — интерфейс шины данных модуля составляется простым последовательным «слиянием» внешних шин данных индивидуальных микросхем модуля памяти. Такое «заполнение» шины данных контроллера памяти принято называть составлением физического банка памяти. Таким образом, для составления одного физического банка 64-разрядного модуля памяти необходимо и достаточно наличие 16 микросхем x4, 8 микросхем x8 (это наиболее часто встречаемый вариант) или 4 микросхем x16.

Глубина модуля вычисляется, простым делением полного объема модуля (выраженного в разрядах) на его ширину (разрядность внешней шины данных, также выраженную в разрядах). Соответственно, произведение ширины на глубину дает полную емкость модуля и определяет его организацию, или геометрию.

Возвращаясь к физическим банкам модуля памяти, заметим, что при использовании достаточно «широких» микросхем по 8 разрядов ничего не мешает поместить и большее их количество, соответствующее не одному, а двум физическим банкам — 16 микросхем по 8 разрядов. Так различают однобанковые (или «одноранковые», single-rank) и двухбанковые («двухранковые», dual-rank) модули. Двухбанковые модули памяти наиболее часто представлены конфигурацией «16 микросхем по 8 разрядов», при этом один из физических банков (первые 8 микросхем) расположен с лицевой стороны модуля, а второй из них (оставшиеся 8 микросхем) — с тыльной. Наличие более одного физического банка в модуле памяти нельзя считать определенным преимуществом, т.к. может потребовать увеличения задержек командного интерфейса.