ЭЛЕМЕНТЫ ИМС НА БИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУРАХ

Биполярные транзисторы. В ИМС структура транзистора определяет структуру всех остальных элементов — диодов, конденсаторов, резисторов.

Основным типом биполярного транзистора является NPN- транзистор, так как подвижность электронов почти в 2 раза выше подвижности дырок, что повышает частотный предел применения этих транзисторов. Будучи в базе неосновными носителями, электроны гораздо быстрее проходят Р-базу на пути к коллектору, чем дырки N-базу при прочих равных условиях. Повышенная концентрация примеси N⁺ в эмиттере позволяет получить большой коэффициент передачи тока . В ИМС имеются и РNP-транзисторы, например, для создания комплементарных пар.

Одна из конструктивных особенностей биполярного транзистора ИМС, созданного на основе планарной технологии, состоит в том, что эмиттер и коллектор расположены по одну сторону подложки. Вследствие этого создается довольно длинная траектория движения коллекторного тока от эмиттера к коллектору, а с длиной увеличивается и сопротивление коллектора. Большое сопротивление коллектора особенно нежелательно в режиме насыщения, так как приведет к большому падению напряжения на коллекторе. Чтобы уменьшить это сопротивление, достаточно было бы увеличить концентрацию примеси в коллекторе, но это привело бы к сужению PN-перехода, уменьшилось бы значение допустимого напряжения на коллекторном переходе, увеличились бы паразитные емкости.

Чтобы устранить нежелательные явления и понизить коллекторное сопротивление, на границе коллектора и подложки создается скрытый слой N⁺ с большой концентрацией примеси (рис. 19.1). Скрытый слой создается только в тех ИМС, где транзисторы работают в ключевых режимах, в ИМС, которые используются для усиления сигналов транзистора и работают в активном режиме, скрытый слой N⁺ не требуется.

Рассмотрим биполярный транзистор с изоляцией PN-переходом, находящимся под обратным напряжением. Обратите внимание (см. рис. 19.1), что подложка Р, коллектор N и база Р основного транзистора образуют структуру паразитного транзистора PNP. При работе основного транзистора в активном режиме паразитный транзистор работает в режиме отсечки, так как на его коллекторный и эмиттерный переходы подаются обратные напряжения. Тем не менее, как уже указывалось, и в этом случае создается,, паразитная барьерная емкость коллектор — подложка и течет обратный ток.

При работе основного транзистора в режиме насыщения паразитный транзистор переходит в активный режим работы, так как его переход эмиттер база, являющийся переходом база — коллектор основного транзистора, открывается. В этом случае подложка Р будет ответвлять часть тока базы основного транзистора, уменьшая ток насыщения основного транзистора.

В транзисторах ИМС с диэлектрической изоляцией все элементы схемы изолируются между собой и от подложки слоем двуокиси кремния. Естественно, что это уменьшает значительно токи утечки по сравнению с обратными токами PN-переходов, а также паразитную емкость по сравнению с барьерной емкостью PN-перехода. Однако, несмотря на указанные достоинства все же изоляцию PN-переходом широко применяют благодаря тому, что ее выполнение при изготовлении ИМС требует меньшего числа технологических операций, чем при изоляции диэлектриком.

Многоэмиттерный транзистор — устройство, которое не имеет дискретного аналога. В нем при наличии одного коллектора и одной базы может быть от двух до пяти — десяти эмиттеров (рис. 19.2). Такие транзисторы нашли применение в логических устройствах. В этих транзисторах есть возможность подключения нескольких входных напряжений при одном выходе для выполнения логических операций. Как видно из рис. 19.2, каждая пара рядом лежащих эмиттеров N⁺ вместе с разделяющим их слоем базы Р образует паразитный транзистор N⁺PN⁺. Для того чтобы устранить транзисторный эффект в этой структуре, расстояние между эмиттерами должно превышать диффузионную длину носителей в базовом слое. Благодаря этому почти все электроны рекомбинируют в этом базовом слое.

Многоколлекторный транзистор по своей структуре не отличается от многоэмиттерного. При включении многоколлекторного транзистора N-область становится эмиттером, а области N⁺ — коллекторами. Принцип действия как многоэмиттерных, так и мпогоколлекторных транзисторов не отличается от обычных дискретных транзисторов.

Супербета транзистор — транзистор с очень малой шириной базы (0,2... 0,3 мкм). При такой ширине базы вероятность рекомбинации в ней очень мала, благодаря чему коэффициент усиления тока базы (сверхкоэффициент бета). Следует отметить, что создание этих транзисторов связано с большими технологическими трудностями. Естественно, что при обратных напряжениях на коллекторный переход более 2 ... 3. В произойдет смыкание переходов. Эти транзисторы применяются во входных усилительных каскадах при небольших уровнях сигнала.

Диоды. Для получения диода достаточно создать один PN- переход. Однако практически в ИМС используют для получения диодов транзисторные NPN-структуры, так как это технологически проще, чем специальное формирование отдельных PN-переходов. В зависимости от назначения диода в схеме используется тот или иной PN-переход транзистора. При этом возможны пять вариантов:

1) включается эмиттерный переход, коллекторный переход замкнут ( =0),

2) включается коллекторный переход, эмиттерный переход замкнут ( =0),

3) включаются оба перехода, но эмиттер соединен с коллектором (U=0),

4) включается эмиттерный переход, коллекторный переход разомкнут,

5) включается коллекторный переход, эмиттерный переход разомкнут.

Естественно, что при включении коллекторного перехода (варианты 2 и 5) достигается высокое напряжение пробоя, свойственное коллекторным переходам. Так как площадь коллекторного перехода значительно больше площади эмиттерного перехода, то в этих же вариантах 2 и 5 можно получить гораздо большие прямые токи.

В варианте 3 оба перехода параллельно включены между собой, прямой ток большой, но увеличивается общая емкость переходов.

Варианты 1 и 4 характеризуются малым напряжением пробок, небольшими допустимыми прямыми токами, но имеют малые обратные токи за счет меньших площадей перехода.

Вариант 1 обладает наименьшим временем переключения, при переходе из открытого состояния в закрытое происходит быстрое, рассасывание носителей заряда в тонкой базе.

Резисторы. Для того чтобы не усложнять технологию изготовления ИМС дополнительными операциями для создания резисторов в полупроводниковых ИМС в качестве резистора используют одну из областей транзисторной структуры, полученной в результате нескольких этапов диффузии примесей.

Как известно, основные показатели резистора — это омическое сопротивление, температурный коэффициент, мощность рассеяния.

Эмиттерная область N⁺ имеет самую большую концентрацию примеси, за счет чего температурный коэффициент сопротивления достаточно мал, по при этом большая концентрация повышает удельную проводимость, сопротивление этой области мало и, как известно, составляет единицы ом.

Коллекторная область имеет сравнительно небольшую концентрацию, но все же большую, чем базовая область. Поэтому в основном для создания резисторов в полупроводниковых ИМС используется базовая область, которая обеспечивает самое высокое удельное сопротивление из всех областей и вполне приемлемый температурный коэффициент.

Диффузионные резисторы (рис. 19.3) на основе базовой области с сопротивлением до 1 кОм имеют прямолинейную конфигурацию (а), при больших сопротивлениях зигзагообразную (б). При этом максимальное сопротивление составляет до 50 кОм, для получения больших сопротивлений резистор должен занимать на поверхности подложки слишком большую площадь.

Разновидностью базовых диффузионных резисторов являются пинч-резисторы (сжатые резисторы). У них поверх базового слоя методом диффузии наносится эмиттерный слой. Образованный PN-переход включен под обратное напряжение. Так как концентрация примеси в базе значительно меньше, чем в эмиттере, при обратном включении сечение базы значительно уменьшается (сжимается), а удельное сопротивление при этом увеличивается. Максимальное сопротивление пинч-резисторов может достигать 250 ... 300 кОм даже при простой прямолинейной конфигурации и небольшой длине.

Недостатки: разброс номиналов из-за большого влияния на сопротивление малейшего изменения толщины базового слоя, сравнительно большой температурный коэффициент из-за малой концентрации примеси в базовом слое.

Наряду с диффузионными резисторами в настоящее время широко внедряют резисторы, для образования которых используют ранее рассмотренный метод ионного внедрения. Благодаря применению данной технологии можно получить значительно меньшую толщину базового P-слоя, обеспечить достаточно низкую концентрацию и высокую чистоту примеси, обеспечивает получение больших номиналов сопротивлений и небольшого их разброса.

Конденсаторы. В полупроводниковых ИМС для создания кон-денсаторов используют обратносмещенные PN-переходы—коллекторный или эмиттерный, либо оба РN-перехода, включенные параллельно.

Емкости таких конденсаторов могут быть как постоянными, так и переменными. Основными показателями конденсаторов является: их емкость и допустимое напряжение пробоя.

Емкость конденсаторов, образованных на основе PN-переходов, зависит от приложенного обратного напряжения, степени концентрации примесей, а также от площади перехода.

Емкости образуются в едином технологическом процессе наряду с созданием транзисторов, поэтому концентрация примесей определяется в зависимости от показателей соответствующих транзисторов, которые собраны на этой же подложке. Этим и определяются возможные значения емкости. Таким образом, увеличения емкости добиваются увеличением поверхности PN-пepexoда и уменьшением приложенного напряжения смещения.

Эмиттерный переход обладает большей удельной емкостью за счет большой концентрации примеси в эмиттере N⁺, но низким допустимым напряжением пробоя.

Коллекторный переход имеет гораздо большее допустимое пробивное напряжение, но удельная емкость его ниже. Так, удельная емкость эмиттерного перехода для типовой структуры ИМС при составляет , у коллекторного перехода соответственно . Основное достоинство данных конденсаторов в их большой экономичности, благодаря тому, что они создаются в едином технологическом процессе наряду с транзисторами и резисторами.

По сравнению с дискретными конденсаторами, они имеют существенные недостатки: ограниченные параметры (емкости и допустимые обратные напряжения) и необходимость в обратном смещении.