Параметры

· интегральный коэффициент усиления по току

· статическая крутизна характеристики прямой передачи

(в схеме с ОБ) (в схеме с ОЭ)

· Напряжение между К и Э в режиме насыщения

· Напряжение между Б и Э в режиме насыщения

· Время рассасывания -это интервал времени в течение которого после подачи запирающих импульсов напряжение на К при включении по схеме с ОБ возрастает до величины 0.1

Особенности транзисторов на ВЧ при малых сигналах

ДО сих пор мы рассматривали работу транзистора в статическом режиме при изменении тока и напряжения. При этом мы не рассматривали переходные процессы, которые происходят при изменении той или иной величины. Наиболее наглядной инерционность проявляется при рассмотрении движений носителей в базе, время которого зависит от ширины базы и коэффициента диффузии.

Инерционность процесса сказывается на параметрах транзистора в случае воздействия напряжения ВЧ, период которых меньше , либо при работе в режиме, когда время нарастаний и спада напряжения будет очень мало.

Сильное влияние при работе на ВЧ будет оказывать наличие емкостей p-n переходов, т.к. сопротивление p-n в этом случае с ростом частоты будет уменьшаться.

Эквивалентная схема транзистора

- дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода включенного в прямом направлении

- емкость эмиттерного перехода

-сопротивление области базы, базовому току (100Ом-1кОм)

-сопротивление коллекторного p-n перехода, включенного в обратном направлении (100кОм)

-емкость коллектора (Барьерная емкость)

- генератор тока, показывающий, что весь ток со входа будет переходить на выход

> на порядок

уменьшается быстрее, чем при повышении частоты.

Рассмотрим, какая из емкостей оказывает более сильное влияние на работу транзистора на ВЧ.

Ёмкость C_э, имеющая величину на порядок больше C_к, шунтирует очень маленькое сопротивление эмиттерного перехода. Частота w, на которой сопротивление C_э будет меньше R_э должна быть очень высокой. С_к шунтирует большое сопротивление (до МОм) обратно смещённого коллекторного перехода. В связи с этим частота, на которой будет проявляться шунтирование R_к, т.е. сопротивление C_к меньше R_к, более низкая, чем в первом случае. Поэтому при анализе работы транзистора на ВЧ учитывается влияние только С _к.

На НЧ практически весь ток будет протекать через нагрузку, т.к. R_к велико и X_{С к} тоже велико.

На ВЧ X_С мало и часть тока будет перераспределяться с цепи, состоящей из R_н + R_Б, в цепь, состоящую из С _к. Ток в нагрузке уменьшается, уменьшается коэффициент усиления по току и напряжению, а следовательно, и по мощности.