Схему не разбирать.

3.4. Установить R_М=640 Ом, частоту f = 2 кГц. Выключить «V2», «V3-φ», «ГЕНЕРАТОР», «СЕТЬ».

4. Обработка и анализ результатов измерений

4.1. Построить φ_i(f)– две зависимости на одном графике (R _M=640 Ом и R _M=160 Ом), для

каждой зависимости вертикальными отрезками показать границы полосы пропускания ивычислить значения Q .

4.2. Построить I _ВХ.(f) – две зависимости на одном графике (R _M=640 Ом и R _M=160 Ом),

для каждой зависимости провести линию на уровне 0,707I ₀ , вертикальными отрезками показать границы полосы пропускания (не переносить их с графика φ_i) .

4.3. Построить Z _ВХ.(f) – две зависимости на одном графике (R _M=640 Ом и R _M=160 Ом),

для каждой зависимости провести линию на уровне 1,41 Z_MIN , вертикальными отрезками показать границы полосы пропускания. Для Z _ВХ.(f) брать значения из таблиц не более 2 кОм или изменить масштаб по оси ординат. Значениям 2 кОм соответствуют значениям силы тока 1 мА на графиках I _ВХ.(f), т.е. для каждой зависимости I _ВХ.(f) можно определить соответствующие этому значению частоты и затем перенести их на график Z _ВХ.

4.4. Построить U_С(f) (п.п. 3.2), отметить частоту резонанса f₀ (известна из первого опыта, табл. 3.2), графически определить напряжение на емкости при резонансе U_C0, которое может не совпадать с максимальным. Вычислить Q (только для R_М=160 Ом).

4.5. Построить две зависимости U_С(f) для нагруженного контура (п. 3.3) – всего три

зависимости на одном графике, сделать выводы о влиянии нагрузки на добротность. Для R_M = 2560 Oм и R_M = 5120 Ом значения Q не вычислять.

4.6. Все зависимости подписать, на каждой указать значения R_M.

4.7. Сравнить результаты эксперимента с расчетными данными.

5. Вопросы для самопроверки и защиты

5.1. Как рассчитать избирательность в последовательном контуре?

5.2. В каком случае напряжения на отдельных элементах схемы могут быть больше напряжения генератора?

5.3. Что такое полоса пропускания ?

5.4. Как можно определить граничные частоты ?

5.5. Чему равно реактивное сопротивление контура на границах полосы пропускания, если известно его эквивалентное активное сопротивление ?

5.6. От чего зависит диапазон частот, при котором U_С >U_ВХ.?

5.7. Построить векторные диаграммы при f<f₀; f=f₀; f>f₀ для схемы на рис.3.5.

5.8. Симметрична ли кривая зависимости I(f) и U_С(f) при малых и больших добротностях ?

5.9. Нарисуйте схемы с использованием избирательных свойств контура, чтобы на выходе ослаблялась определенная полоса частот.

5.10. Объяснить влияние величины R_Ш и R_М на добротность (рис.3.4).

5.11. Как следует изменить параметры колебательного контура, чтобы изменить f₀ , не меняя полосы пропускания ?

Как изменятся свойства резонансного контура (рис. 3.4), если дополнительно

последовательно включить в него индуктивность L_A и емкость C_A ? Как изменятся при это изменятся зависимости φ_i(f), I _ВХ.(f), Z _ВХ.(f)?

При подготовке к лабораторной работе рекомендуется ознакомиться с материалами [7, с.167-211].