Графиктік талдау әдісі

Ең бірінші төменде көрсетілгендерді табамыз:

U_кэ= Е_п/2 (B)

I_к=Е_п/2R_н (A)

Шығыс сипаттаманың координиталар жүйесінде қуат үшбұрышы тұрғызылады: U_нач. түзуі базалық токтардың сызықтық емес аймақтарын кесіп өтіп, U_нач -дан U_кэ үлкендігі кейінге қалдырылып,әрмен қарай I_к мен U_кэ нүктелерін қосады. Кейінірек аталмыш есептеулерде қуат үшбұрышы аймағына кірмейтін, бірақ оған максимум жақындайтын Р_{к доп} – жүктеме қисығы тұрғызылады. Егер қисық қуат үшбұрышы аймағына енетін болса,онда транзисторлар радиаторлармен жұмыс істеуге тиіс

Кіріс сипаттама бойынша жұмыс жасау аймағын анықтайды.

ООС тереңдіігн анықтаймыз:

F=1+g_21*R_н , мұндағы g₂₁ транзистор сипаттамасының орташа тік мөлшері.

F=95,2

Шығыс каскад үшін кернеу бөліндісін есептейміз:

I_дел=(3¸5)I_бmin;

I_диода= I_дел+I_б0

Диодқа түсетін кернеу 2U_эб0=1 B құрауы керек.

Диодқа мұндай кернеудің түсуіне байланысты – қажетті мөлшерде түсірілген кернеуді қамтамасыз ету мақсатында КД510А бір диодын қосу қажеттігі туындайды.

ООС- ны ескергендегі кіріс кедергінің есебі:

; мұндағы ;

Кірістегі амплитуда мәндерін есептейміз:

;

Конденсатордың С₁ және С₂ сыйымдылықтарын табамыз:

Кіріс пен шығу арасындағы жиіліктік қажалуды тең бөлеміз:

М = М_вх · М_вых, тогда:

.

Мұннан:

Шығыс (берілетін) қуатты табамыз:

Номинал режим үшінқорек көзінен қолданылатын қуатты анықтаймыз:

Есепті аяқталды деп санауымызға болады.

13 КІЛТТІК СЫЗБАЛАР

Кілттің негізгі функциясы – кейбір ток көздеріндегі жүктеменің тұйықталуы. Қарпайым ғана кілт механикалық кілттер болып табылады.Механикалық кілттерге қарағанда электрондық кілттер база леп аталатын транзистордың басқарушы электродына t уақыт аралығында келіп түсетін электрлік сигнал әсерінен жүктемені қорек көзіне тұйықтайды.Идеалдық кілт ажыратылған күйде шексіз үлкен кедергіні көрсетуге тиіс, ал жабық жағдайында кедергі нөлге тең.

39 – суретте биполярлық транзисторда орындалған қарапайым ғана кілттік сызба көрсетілген.Шығс тізбекте бұл схемаға Е қорек көзі, R_к резисторы және биполярлық транзистор тізбектей қосылған, ал шығыс кернеу қызметін коллектор мен эмиттер арсындағы U_кэ кернеуі атқарады. Транзистордың шығыс тогын немесе I_к коллектордың тогын басқару мақсатында кіріс тізбекте база мен эмиттердің арасында Uб кернеу көзі мен токты шектейтін R_б резисторы тізбектей қосылған. Е_бэ тұрақты кернеу көзі импульс жоқ болған жағдайда I_к коллекторлық тогы минимум, ал U_кэ шығыс кернеуі максимумге жететін уақытта транзистордың бөлгіш режимін қалыптастырады.Кірістізбектегі импульстік кернеу көзі басқарушы сигнал қызметін атқарады.Базада белгілі бір амплитудадағы импульстік кернеудің пайда болуымен транзистор n-p-n құрылымынан қанығу режиміне өтеді. Қанығу режимінде шығыс тізбектен максималды ток, ал U_кэ шығыс кернеу минималды болады. Берілген сызбада транзистор ортақ эмиттер сызбасы бойынша қослған, алайда бұдан өзге кілттік сызбаларда транзисторды ортақ база және ортақ коллектор схемалары арқылы қосу қолданылады.Тізбектегі I_к коллекторлық ток пен U_кэ кірістегі кернеу бір жағынан транзистордың шығыс сипаттамалары арқылы, ал екінші жағынан жүктемелік түзу көмегімен анықталады. Транзистордың шығыс сипаттамалары дегеніміз әрқайсысы белгілі бір базаның I_б тұрақты тогына сәйкес келетін I_к – ң U_кэ – ға тәуелділігі. Кирхгофтың екінші заңын пайдаланып коллекторлық тізбек үшін коллектор мен эмиттер арасындағы кернеуді төмендегідей теңдікте жазуға болады:

U_кэ = E - I_к*R_к

39 Сурет –Электрондық кілт сызбасы

Кіріс импульстік кернеудің жоқ мезетінде транзистор бөлгіш режимде болады, сондықтан базалық және коллекторлық тізбектен тек қана I_кбо коллектордық жылулық тогы ғана ағып өтеді.Алайда коллекторлық ауысымның жылулық тогы аз (төмен қуатты транзисторлар үшін I_кбо равен единицы мкА и менее), ал сол себепті кілттік сызбаның U_кэ шығыс кернеуі E – ге тең.

Кіріс тізбек үшін Кирхгоф заңы бойынша былайша жазуға болады:

Е_бэ = I_б* R_б + U_бэ =I_кбо* R_б + U_бэ

Транзистордың n-р-n құрылымды бөлгіш режимін жүзеге асыру үшін U_бэ кепнеуі нөлден кіші немесе оған тең болуы шарт.Мұннан таңдалған транзисторда (I_кбо) және базалық тізбектегі R_б резисторында кернеу көзінің Е_бэ.min ығысуының минималды үлкендігіне қойылатын талаптарды анықтайды және ол былай болуы тиіс:

Е_бэ.min ³ I_кбо * R_б

Эмиттерлік және коллекторлық ауысымдар түзу бағытта араласқанда импульстің пайда болуымен транзистор бөлгіш режимнен қанығу режиміне өтеді. р-n ауысымдарда тура араласу кезінде кернеу аз болғандықтан транзисторды қаенығу режимінде эквипотенциалдық нүкте және транзистордың қанығу тогы деп аталатын , төмендегі формула бойынша анықталатын коллектордың максимал тогы ретінде қарауға болады:

I_кн = (E- U_кэ.нас)/R_к @ E/R_к

Бұдан шығатын қорытынды транзистордың қанығу тогы транзистордың параметрлерінен тәуелсіз, ал ол кілттік сызбаның (Е және R_к) сыртқы параметрлері арқылы анықталады.Қанығу режимінде транзистордың I_б базалық тогы базаның қанығу тогы деп аталатын I_бн – нен белгілі бір мөлшерде үлкен болу керек. I_б базалық ток I_бн базалық қанығу тогына тең болғанда транзистор қатаң түрде белсенді режим мен қанығу режимі шекарасында орналасу керек. Мұндай режимде коллектордың тогы базалық токпен b күшейту коэффициентімен байланысқан, яғни I_кн=b*I_бн. Сондықтан базаның қанығу тогы:

I_бн = I_кн /b = E / b* R_к

Мұннан

E_бэ / R_б > E/b*R_к

Бұл берілген қатынас транзистордың берілген кернеу көзінде қанығу режимін қамтамасыз ететін R_б резистор мәнін анықтауға мүмкіндік береді

R_б. £ (b* E_бэ/E)* R_к

Транзистордың қанығу режиміндегі жұмысын s қанығу дәрежесі сипаттайды :

s = I_б / I_бн

Шынайы кілттік сызбаларда транзистор кілттік сызбаның ауыстырып қосудың толық уақыты минимум болғанда s=(1,5–3) қанығу дәрежесінде жұмыс істейді. Берілген транзистордың s қанығу дәрежесі мен күшейту коэффициентінің (b_min - b_max) үлкендігінің қашықтығын ескере отырып, қанығу шартын төмендегідей көрсетуге болады:

R_б. £ (b_min/s)*[(E₁ - E_бэ)/E]* R_к

Шынайы кілттік сызба жүктемеге, R_н кедергіге жұмыс істейді. R_н жүктемесінің үлкендігі транзистордың коллекторлық тізбегіндегі R_к резисторын анықтайды.Транзистор бөлгіш режимде болса, онда R_к және R_н кедергілері қорек көздерінің кернеуіне қатысты кернеуді бөлгішті құрайды. Бұл жерден жүктемедегі U_н кернеу былайша анықталады:

U_н = [R_н /( R_н + R_к)] * Е

U_нэ шығыс кернеу қорек көзінің Е кернеуінен минимум ерекшелену үшін коллекторлық тізбектегі R_к кедергісі R_н жүктеме кернеуінен аз болу керек.Әдетте оны мына шарт бойынша таңдайды:

R_к £ 0,1 R_н

Осылайша транзистор кілттік сызбада стационар күйде бола тұра (кілт қосулы немесе өшірулі) не бөлгіш, не қанығу режимінде жұмыс жасайды.Бір режимнен екіншісіне ауыстырып қосу уақыты транзистор базасы мен коллекторындағы өзара тең емес зарядтарды жинау мен тарату процестері мен эмиттерлік және коллекторлық ауысымдарда анықталады.

14 АУЫСПАЛЫ КЕРНЕУ ТҮЗЕТКІШТЕРІ

Электрондық аспаптарды қоректендіру үшін жоғары сапалы тұрақты кернеу қажет. Алғашқы желіде ереже бойынша ауыспалы кернеу 220 В болғандықтан аралық құрылғыда ауыспалы кернеуді түзету, тұрақтандыру қажеттігі туындайды.

Ауыспалы кернеулерді төмендету үшін трансформаторлар қолданылады(трансформатор қолданылмайтын сызбаларда болады).Трансформатордан ауыспалы кернеу түзеткішке түседі. Түзеткіш деп ауыспалы токтын екі полярлы кернеуін бір полярлы зарядталған кернеуге айналдыратын құрылғы. Олар үш түрлі болады:жартыпериодты, екіжартыперидты және көпірлі.

40 сурет – жартыпериодты түзеткіш сызбасы

Бұл сызбада ауыспалы кернеудің трансформатордан диодқа өтеді, диод ауыспалы токты бірполярлы токқа түзететін құрылғы. Диод негізінен токты бір бағытта ғана өткізетін болса, бұл сызбада ол оң жартытолқынды өткізеді.( 41сурет).

41 Сурет – Кернеудің жартыпериодты түзеткіш диаграммасы

Бір жартытолқынды жоғалту маңызды кемшілік болып табылады. 42 суретте жарты фазалы екіжарты периодты ауыспалы токтын түзетілінуі көрсетілген.

42 Сурет –Екі жарты периодты түзетіліну сызбасы.

43 суретте екі жарты периодты түзету сызбасынан жартыперидты кернеудің түзетіліну диаграммасы көрсетілген

43 сурет–Жартыпериодты түзетіліну сызбасынан көрсетілген токтын диаграммасы.

Жарты фазалы екі жарты периодты түзеткіш трансформатордан тұрады, трансформатордың екінші орамы екі бөліктен және жартылай өткізгішті екі диодтан тұрады(42 сурет). Трансформатордың ортақ нүктесінің болуы екінші орамның әрбір бөлігінде w₁ және w₂ әрбір диодқа қосымша тіркеледі VD₁ және VD₂. Екінші орамның жарты бөлігінде w_1, VD₁ жартыпериодта диод ашылады және осы жерде кедергіден өтетін ток туындайды. Теріс жарты периодта VD₁ диод жабық болады, VD₂ диоды ашылады. Бұл жағдайда да кедергіден өтетін токтын импульсі туындайды.Осылайша кедергі тізбегінде жарты периодтың екеуіндеде тоқ жүреді. Kоэффициент пульсаций жартыпериодқа қарағанда екі жарты периодта салыстырмалы түрде аз болады. Екі жарты периодты сызбаның кемшілігі болып трансформатордың орамдарын екі есе көбейту қажеттігі болып табылады, сондықтан практикада мостовая түзеткіш сызбасын қолдану кеңінен таралған. (44 сурет)

44 Сурет –Бір фазалы түзеткіштің көпір сызбасы

45 Сурет – Түзеткіштің көпір сызбасындағы кедергіден өтетін ток диаграммасы

Түзеткіштің көпір сызбасында кіріс кернеудің оң таңбалы жарты толқыны кезінде VD₁ және VD₃ диодтары ашылады да тізбектегі жүктемеде ток импульсі пайда болады. Кернеудің теріс таңбалы толқыны VD₂ и VD₄ диодтарын ашады, осы кезде жүктемеде ток импульсі жүреді. Көпір сызбасы өткен сызбаға ұқсас сипаттамаларға ие. Көпір сызбасында екінші орамдардың саны өткен сызбаға қарағанда аз болуы оның артықшылығы болып табылады. Қазіргі кезде түзеткіш сызбасында жеке диодтар емес көпір сызбасын құрайтын 4 диод жиынтығы қолданылады(КЦ 402, КД 405 и т.д.).