Электрический пробой ВнИ

t=t₁+t₂+t₃

t₁ - время подъема пробоя, t₂ – время ожидания возникновения первичного е, t₃ – время от возникновения первичного е до стримерного перекрытия промежутка.

При малых временах t, т.е. в диапазоне от единиц микросекунд до нескольких миллисекунд, в изоляции возможен так называемый чисто электрический пробой, сущность которого состоит в том, что при некотором напряжении в изоляции создаются условия для образования и быстрого увеличения числа свободных электронов. Последние в сильном электрическом поле приобретают энергию, достаточную для ионизации нейтральных молекул и образования концентрированного потока электронов. За счет энергии, выделяющейся при взаимодействии потока электронов с молекулами диэлектрика, происходит разрушение последнего с образованием проводящего канала.

При временах t более нескольких десятков микросекунд значение напряжения остается практически неизменным, так как время t много больше времени формирования проводящего канала, а другие механизмы пробоя еще не успевают проявиться.