Генератор импульсов

Генератор импульсов служит для формирования Uy (Ua) импульсной формы, и при совместном взаимодействии генератора импульса и датчика управления обеспечивается автоматическое сдвижение углов α и β.

 

 


Рис.13.4 - Схема генератора импульсов

 

ГИ состоит из:

- транзистор VT, включенный по схеме ОЭ;

- трех обмоточный трансформатор Т, первичная обмотка которого ω1 включается в цепь коллектора- через нее протекает ток IK, вторичная обмотка ωу – служит для формирования напряжения управления Uy импульсной формы, обмотка обратной связи ωОС включается на вход между базой и эмиттером и обеспечивает процесс открывания транзистора VT;

- резистор RK для ограничения тока коллектора;

- источник коллекторного напряжения ЕК для работы транзистора;

- для работы транзистора и управления процессом включения его на вход схемы подается напряжение UГПН и для автоматического регулирования угла α или β на вход подается UДУ.

Процесс работы ГИ и формирования UУ импульсной формы можно проследить по временным диаграммам напряжений и токов.

 


Рис.13.5 - Временные диаграммы формирования импульсного напряжения ГИ

 

 

Формирование импульса Uy.

На вход транзистора VT подается напряжение UГПН и от датчика управления UДУ, поэтому результирующее входное напряжение равно

UВХ = UГПН + UДУ

В данной схеме приведен транзистор p-n-p, который открывается, когда на базу подается отрицательное входное напряжение. На участке 0-1, когда UВХ>0, транзистор VT закрыт, токи IЭ≈0, IБ≈0, IК≈0, следовательно, в трансформаторе Т никаких напряжений не наводится.

В точке 1 напряжение UВХ<0 и транзистор VT начинает открываться, токи IЭ↑, IБ↑, IК↑. Ток коллектора протекает через обмотку ω1, наводит магнитный поток в сердечнике трансформатора Т, под действием которого в обмотке ωОС наводится напряжение обратной связи UОС, а в обмотке управления UУ. Обмотка ωОС создает положительную обратную связь на входе, так как протекающий в ней ток iОС совпадает по направлению с токами IЭ, IБ, поэтому ускоряет процесс открывания транзистора VT, следовательно, скорость нарастания тока коллектора возрастает, благодаря чему напряжение управления формируется в импульсной форме.

Как только IK=IKMAX=EK/RK, ток IK=const, магнитный поток – неизменный и формирование напряжения управления импульсов прекращается.

В точке 2 происходят аналогичные процессы, но транзистор закрывается, следовательно, формируется обратный импульс напряжения управления. Этот импульс для открытия VS не нужен, потому в цепь УЭ включается диод V и ограничительный резистор R0.

Из диаграммы видно, что импульс UУ1 сдвинут относительно точки π на угол α1.

Данная схема позволяет изменять автоматически угол α за счет UДУ. Пусть UДУ увеличивается до U2ДУ. Тогда аналогично выше описанному, формирование UУ2 происходит в точках 1' и 2', угол α увеличиться до угла α2.

Формирование импульсов UГПН и UУ происходит под действием ЕК.








Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 928;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.