ВАХ тиристора
Рис. 11.3 – ВАХ тиристора при IG=0 и при IG>0
11.3.1 Работа тиристора в проводящем направлении при токе IG= 0
На участке ОА: при приложении напряжения UА в проводящем направлении ток IF будет мал (мА или мкА), так как переход j2 закрыт. Однако с увеличением напряжения UА дырки из области р1 инжектируются (проталкиваются) в область n1, в которой они являются неосновными носителями, и для них переход j2 открыт. Аналогично под действием - UА электроны из области n2 инжектируются в р2 , где они также неосновные носители, и для них переход j2 открыт. Таким образом, через переход j2 будут перемещаться инжектированные неосновные носители, число которых будет увеличиваться с увеличением напряжения UА. Следовательно, на участке ОА ток IF растет, оставаясь незначительным, так как переход j2 остается закрытым.
На участке АВ число неосновных носителей, проникших из p1 в n1 и из n2 в p2, становится велико, и начинается процесс компенсации запорного слоя j2, который в точке В переходит в открытое состояние.
На участке ВС переход j2 становится открытым, поэтому ток IF резко возрастает до IF = ЕА/RA, а напряжение между А и К уменьшается до величины UВО MIN, равным падению напряжения на открытых переходах j1, j2, j3.
На участке CD переходы j1, j2, j3 открыты, и тиристор ведет себя как диод. ВАХ тиристора аналогична ВАХ диода. Напряжение UВО MAX – максимальное напряжение тиристора. При уменьшении тока IF ВАХ перемещается по участку DC и как только IF ≤ IН, то тиристор закрывается, так как компенсация в запорном слое нарушается.
IН – ток удержания;
IL – ток включения;
ID – ток утечки.
11.3.2 Работа тиристора в проводящем направлении при токе IG>0 и IG= IGT
При включении УЭ и подачи UG в проводящем направлении электроны дополнительно инжектируются из n2 в р2, где они являются неосновными носителями и, следовательно, ток через переход j2 возрастает, компенсация запорного слоя j2 происходит при меньшем напряжении.
При токе IG= IGT, называемом отпирающим током управления, тиристор открывается при UBOMINи ВАХ тиристора аналогично ВАХ диода.
Таким образом, изменяя IG≤ IGT, напряжение, при котором произойдет отключение будет лежать в пределах
UBO MIN ≤ UF≤ UBO MAX
≈1,5÷2,0 В до 5000÷6000 В
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 976;