Прямое включение

 

 


Uвх=Uy+UR2 ; Rвх→∞; iвх→0

 

 
 

Последовательная ОС по напряжению

       
   

       
   

Т.е. коэффициент схемы определяется только параметрами ОС


Эта схема всегда усиливает напряжения.

Меняя только R1 и R2 получаем требуемый коэфф. усиления, т.е. схема инвариантна к ОУ.

Входной и выходной сигнал синфазны.

 

a
I1
R1
R2
Инверсное включение


 
 

i2
Uу
Uвых
Uвх
Т.к. Rвх→∞, то i1=i2

Ua≈0; Uy<Uвхmax

Uу<<Uвх, можно считать, что т.а находится на земле.

i1=Uвх/R1 ; i2=Uвых/R2 ; т.к. i1=i2 , то

 

Общий коэф. усиления определяется номиналами регистров. Здесь Кос <1, а может быть Кос>1.

Кос= - R2 / R1 , Вход. и вых. сигналы противофазны т.е.


Rвх и Rвых также будут меняться.

 

Для начала обратим внимание на прямое включение:

Rвхос=Rвх+R2 т.е.увеличение входного сопротивления.

В инверсном случае Rвх=R1

 

Для Rвых картина примерно та же:


т.е. Rвых уменьшается

 

Схема интегратора

 
 

 


Ic(t)=Uвх(t)/R i=ic Uc=Uвых

       
   

Основы цифровой схемотехники

 

A
Аналогово – цифровая обработка информации.

t

Дискретизация:

- по уровню

-

X
по времени


Заменяем ∞ множество значений всегда конечным

X0 0000

X1 0001

X2 0010

……..

При передаче вводится нзбыточность, позволяя обнаруживать ошибки и даже их исправлять.

 

Квантование по времени:

 

 


Каждый код представляется импульсом

 


Раздел электроники, занимающийся передачей, приемом, обработкой импульсовназываетсяцифровой электроникой.

Уровень «0» всегда отличен от 0В, tфронта>0

Длительность импульса:

- по основанию

- по вершине

- по середине

 


Период импульса T=tимп + tпаузы

f= 1/T – быстродействие (частота)

 

Цивровая электроника – часть импульсной электроники, изучающей импульсы произвольной формы.

 

Импульсная техника – один из разделов электроники.

 
 

Транзисторные ключи.

а) Ключ на биполярном транзисторе. Схема с общим эмитером


 

Этот ключ реализует логическую функцию отрицания и называется ИНВЕРТОРом

 
 


Повышение быстродействия ключа на БП – транзисторах.


Для уменьешния времени нарастания требуется уевличить Iб1

tр – время рассасывания избыточных носителей в базе.

tр - уменьшается при уменьшении Iб1

 

Необходимо, чтобы:


 
 

Схематически это реализуется следующим образом:

 

 

В этом случае:

 
 


В ИС это реализуется след. образом: диод Шотки.

Uвх=0; _é ®Iб>>Iбн®­UвхÞ¯Uвых

Uбэ®0,7В Uвых®Uкн=0,2-0,4В

Uа=Uд=0,3В Iвх=Iб+Iд

 

Эта схема обозначается как транзистор Шотки.


б) Ключ на полевом транзисторе

1поколение – с линейной нагрузкой


2поколение – с нелинейной нагрузкой

В качестве нагрузки (вместо Rс) ставили второй полевой транзистор одинакового типа проводимости.

 

3 поколение – ключевой и нагрузочный транзисторы имеют разные типы проводимости

«на компламентарных транзисторах»


Uзи1+Uзи2=Ec=const Þ ­Uзи1Û¯Uзи2

 

Если Т1 открыт, то Т2 - открыт

 








Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 664;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.017 сек.