Выпрямляющий контакт, физика
Пример “n-М”
Если работа выхода электронов из n-полупроводника меньше, чем из металла, (металл) Ам >Аn, то при образовании контакта часть электронов переходит из полупроводника в металл; в полупроводнике появляется обедненный слой (структура “М- n-n+ ”), содержащий положительный заряд ионов доноров, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР….
В обедненном слое возникает электрическое поле, препятствующее диффузии электронов к контакту (т.е. наблюдаются процессы аналогичные, как в рассмотренном ранее p-n переходе).
Величина потенциального барьера (прямое падение напряжения) - 0,2-0,4 вольт.
Возникающий потенциальный барьер называется “барьером Шоттки”.
Рис. 5.4Образование потенциального барьера, переход М-n
Рассматриваемый переход обладает выпрямительным свойством.
Для п/п р– типа, чтобы переход обладал выпрямительным свойством, работа выхода электронов из металла должна быть меньше работы выходап/п.Ар>Ам см.р ис. 5.3
Барьер Шоттки (открыл нем. физик Вальтер Шоттки — Walter Schottky)
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 759;