Диффузионнй диод

Конструкции сплавных и диффузионных диодованалогичны.

При изготовлении диффузионных диодов p-n переход создается при высо­кой температуре диффузией примеси в кремний или германий из среды, содер­жащей пары примесного материала.

Рис. 5.9 Диффузионный диод

Диффузионный плоскостной р-n переход изготавливается на основе кремния n-типа или германия р-типа.

Диффузантами в первом случае является бор (В), а во втором - сурьма (Sb). Диффузия осуществляется при нагреве в во­дородной печи.

Пластина Si на­гревается до температуры, близкой к температуре плавления, а таблетка бора до испарения. В этих условиях атомы бора (B) напыляются на поверхность пластины и диффундируют вглубь ее. Вследствие этого на поверхности кристалла Si об­разуется слой Si p-типа. Последующим травлением этот слой удаляется со всех граней пластинки, кроме одной.

Между диффузионным слоем кремния p-типа и пластинкой Si n-типа образуетсяплавный р-n переход (рис.5.9), в котором эмиттером является высоколегированный диффузионный слой.

Метод диффузии позволяет достаточно точно контролировать процесс из­готовления перехода, вследствие чего обеспечивается однородность параметров из­готовляемых переходов.

Конструктивно плоскостные диффузионные диоды оформляются в металлические корпуса с выводами. Для улучшения теплоотвода кристалл припаивается непосредственно к корпусу, который служит одним из выводов.