Диффузия носителей заряда

Поведение свободных электронов и дырок в полупроводнике напоминает поведение молекул газа. Эту аналогию можно распространить на явления происходящие в результате неравномерной концентрации носителей заряда в объеме п/п.

 

диффузия— движение носителей заряда из-за неравномерности концентрации, выравнивание концентрации носителей по объему проводника.

 

 

Рис, 4.1 Диффузия неравновесных носителей

 

Воздействуем на п/п импульсом внешнего излучения (рис. 4.1)

Изменение концентрации неравновесных носителей заряда после окончания импульса – на графике рис. 4.1.

 

Теоретической основой диффузии является закон Фика:

 

 

Пm = - Dm grad m (4.1)

 

где m – концентрация свободных носителей.

В одномерном случае (по координате Х)

 

Пm = - Dm (dm/dx) (4.2)

 

Закон Фика: плотность потока свободных носителей (1/см2*с) пропорциональна градиенту их концентрации, взятому с обратным знаком (т.к. диффузионный ток направлен в сторону уменьшения концентрации)

 

Козффициент пропорциональности Dmназывается коэффициентом диффузии2/с), равный абсолютному значению отношения плотности потока частиц к градиенту их концентрации.

 

Пример: Dn Ge=0.01 м2/с, Dn GaAs=0.025 м2/с Dn Si=0.0033 м2

 

Плотность диффузионного тока (j = I/S)

 

Jn дифф = qDn gradn; Jp дифф =qDp gradp (4.3)

 

гдеn, p– концентрации неравновесных носителей в п/п.

Одновременно с процессом диффузии неравновесных носите­лей происходит процесс их рекомбинации. Поэтому избыточная концентрация уменьшается в направлении от места источника этой избыточной концентрации носителей.

 

Расстояние, на кото­ром при одномерной диффузии в полупроводнике без электриче­ского поля в нем, избыточная концентрация носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е = 2,718 ... раза, назы­вают диффузионной линой (L).

Иначе говоря, это расстояние, на которое носитель диффундирует за время жизни.

 

Диффузионная длина связана с временем жизни носи­телей соотношениями

 

Ln = (Dn tn)0,5 Lp = (Dp tp)0,5 (4.4)

 

Пример: среднее время жизни до рекомбинации tn=10-7- 10-9c

L= (10-9c*0.01 м2/с)0,5=3 10-6м

 

Не следует путать диффузионную длину с длиной свободного пробега lср носителей заряда.

Пример: VT=105м/с, tср=10-11-10-12с, lср=10-6-10-7м

 

Параметры дрейфового и диффузионного движения связаны соотношением Эйнштейна

 

 

Dn = (kT/q)mn = fT mn Dp =(kT/q)mP = fT mP (4.5)

 

где fT имеет размерность потенциала (В) и называется температурным потенциалом, при Т=300К.

fT = 0.026В (26 мВ)

 

 








Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 876;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.006 сек.