Туннельные диоды
Туннельный диод – это полупроводниковый диод, на прямом участке ВАХ которого имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Обозначение:
|
|
Туннельные диоды изготовляют из материала имеющего повышенное количество примесей. В результате этого р – n переход в туннельном диоде создаётся полупроводник с высокой концентрацией носителей зарядов, что приводит к малой толщине р – n перехода и к большей величине диффузионного электрического поля.
|
При отсутствии напряжения число элементов перешедших р – n переход равно числу элементов возвратившихся обратно т. е. ток в диоде отсутствует.
При приложении прямого напряжения движение элементов приобретает направленный характер.
|
|
|
При достижении прямого напряжения напряжению пика, туннельный ток имеет максимальное значение т. к. энергетические уровни с повышенной концентрацией носителей зарядов в валентной зоне и зоне носителей совпадают, и этот ток называется током пика.
При дальнейшем увеличении прямого напряжения происходит выпрямление энергетической диаграммы. В результате туннельный эффект уменьшается, что приводит к снижению тока.
3)
|
При достижении прямого напряжения значения напряжения впадины, туннельный ток прекращается и ток через диф., равный току впадины, обусловлен движением электронов, как в обычном диоде.
4)
|
При обратном включении туннельный диод работает в режиме туннельного пробоя.
Основные параметры:
1) пиковый ток
2) ток впадин
3) отношение
Для Ars – gall диодов , для Дени: 3 – 6
4) напряжение ; для Ars – gall
для дени. -
5) для арсенид – галл
Туннельные диоды используют для генерации и усиления электрических колебаний и в переключающихся схемах.
2.13 Обращённые диоды
Обращённым называют диод у которого проводимость при обратном смещении значительно больше, чем при прямом. Прямая ветвь ВАХ обращённого диода аналогична туннельному, а обратная ветвь ВАХ аналогична выпрямительному диоду.
Основные особенности:
|
|
Основные особенности:
1) способны работать только в диапазоне малых напряжений.
2) обладают хорошими частотными свойствами.
3) малочувствительны к воздействию проникающей радиации.
Схематичное обозначение:
Дата добавления: 2015-08-04; просмотров: 1441;