ПРИЛОЖЕНИЕ 2.

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. Цель лабораторной работы.. 3

2. Связь между токами в схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером 3

3. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером. 5

3.1. Входные характеристики. 5

3.2. Выходные характеристики. 7

3.3. Влияние температуры на выходные характеристики. 10

4. Влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току. 12

4.1. Зависимость коэффициента передачи по току от напряжения на коллекторе. 12

4.2. Зависимость коэффициента передачи по току о тока коллектора. 13

4.3. Зависимость коэффициента передачи по току от температуры окружающей среды.. 15

5. Система Н- параметров биполярного транзистора в схеме включения
с общим эмиттером.. 15

6. Схема лабораторной установки. 16

7. Лабораторное задание. 17

8. Обработка результатов измерений. 18

9. Содержание отчета. 19

10. Вопросы для самопроверки. 19

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК.. 21

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 - Образец оформления титульного листа. 22

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 - Кремниевые эпитаксиально-планорные p-n-p транзисторы.. 23

ОГЛАВЛЕНИЕ 2244

Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером

Составители Устыленко Наталья Степановна

Елфимов Вячеслав Ильич

Редактор Е.В. Денисюк

Коомипьютерный набор С.Ш. Юнусова

Подписано в печать Формат 60х84 1/16

Бумага типографская Офсетная печать Усл. печ. л.

Уч. – изд. л. Тираж 100 Заказ Цена “С”

Издательство Редакционно-издательский отдел ГОУ ВПО “УГТУ-УПИ”

620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

Ризография НИЧ ГОУ ВПО УГТУ – УПИ

62000002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19