Конструктивное исполнение DRAM.

Если DRAM выполнена на ИМС в DIP-корпусах, они могут иметь следующие обозначения:

164 - 64К х 1 бит,

264 - 64К х 2 бита,

464 - 64К х 4 бита,

1128 - 128К х 1 бит

4128 - 128К х 4 бита,

1256 - 256К х 1 бит

и т. п.

Оперативная память конструктивно расположена на SB PC. В системах 286 SB имеются четырехрядные розетки (Chip-Socket) для установки ИМС DRAM (Chip-Socket-Comby) в DIP-корпусах
с 16-ю и 18-ю выводами (рисунок 1.6.), позволяющие, при выходе из строя ИМС DRAM, заменять только один неисправный чип. Такая конструкция DRAM недостаточно надежна: – наблюдается эффект "сползания" ИМС из розетки, вследствие температурных изменений, и недостаточно надежно контактирование ИМС с розеткой, так как их выводы только залужены припоем ПОС и со временем окисляются.

Позже стали использоваться модули памяти на SIP (Single-In-Line-Package) с однорядным расположением контактов разъема штыревого типа(рисунок 1.7).

Печатная плата модуля содержит одну, чаще – несколько ИМС, распаянных на плату, сам же модуль имеет разъем с аксиальными штырьками и устанавливается в гнездовую розетку. Контакт достаточно надежен, "сползания" нет, но разъем не технологичен и модуль в разъеме специально не фиксируется. Сейчас такие модули больше не выпускаются.

┌──────────────────┐ ┌───────────────┐
│ ооооооооо │ │ ооооооооо │
│ оооооооо │ │ ├┴┴┴┴┴┴┴┼ │
│ ├┴┴┴┴┴┴┤ │ │ │511000-10 │
│ │4164/41256-10 │ │ ├┬┬┬┬┬┬┬┤ │
│ о├┬┬┬┬┬┬┤ │ │ ооооооооо │
└┐ оооооооо │ └┐ оооооооо │
└─────────────────┘ └──────────────┘
установка 256 Кбайт ИМС установка 1Мбайт ИМС

Рисунок 1.6. Сhip-Socket-Comby для установки 16- и 18- выводных ИМС DRAM.

┌──────────────────────────────────┐
│ ├┴┴┴┴┴┴┴┤ ├┴┴┴┴┴┴┴┤ ├┴┴┴┴┴┴┴┤ │
│ ├┬┬┬┬┬┬┬┤ ├┬┬┬┬┬┬┬┤ ├┬┬┬┬┬┬┬┤ │
│ │
└─┬──────────────────────────────┬─┘
└─┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬┬─┘

Рис. 1.7. Модуль SIP.

Для устранения указанных недостатков, модули памяти SIP были заменены на модули другой конструкции – SIMM (Single-In-Package-Memory-Module). Эти модули тоже содержит несколько ИМС, но имеют краевой разъем, выполненный печатным способом вместе с рисунком печатной платы и имеющий гальваническое покрытие контактов разъема (золото, или серебро-палладий), обеспечивающее вполне надежный контакт ( рисунок 1.8.).

┌───────────────────────────────────────┐
│ ├┴┴┴┴┴┴┴┴┤ ├┴┴┴┴┴┴┴┴┤ ├┴┴┴┴┴┴┴┴┤ │
│о ├┬┬┬┬┬┬┬┬┤ ├┬┬┬┬┬┬┬┬┤ ├┬┬┬┬┬┬┬┬┤о│
\ │
│ ┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐┌┐ │
└─┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴┴─┘

Рис. 1.8. Модуль SIMM.

Такие модули устанавливаются в розетки ножевого типа с фиксацией рабочего положения специальными защелками.

Модуль компактен, надежен в контактах, но при выходе из строя всего одной ИМС приходится заменять весь модуль, так как отпаять и припаять новую ИМС сложно и требуется точно такая же ИМС того же изготовителя и даже времени ее выпуска.

Модуль устанавливается в разъем сначала под углом, а затем поворачивается до вертикального положения до защелкивания замков. Нужно только следить за тем, чтобы шипы гнездового разъема вошли в отверстия модуля (на рисунке 1.8 они обозначены как “о”).

Для снятия модуля сначала отжимаются защелки замка, затем модуль отклоняется назад и выводится из разъема. Модули легко ставятся и снимаются, а если модуль не входит или не выходит из разъема без особых усилий, значит, что-то делается неправильно.

SIMM выпуска 1990-91 г. предназначены для РС286, а выпуска 1992-93 г. – для РС 386/486. По характеристикам и электрическим параметрам они несовместимы как между собой, так и с более поздними моделями. Однокристальные SIMM имеют малую емкость, многокристальные SIMM могут иметь разных производителей и/или разные даты выпуска, что также несовместимо в одной системе DRAM. Мало того, SIMM могут иметь разную организацию, так что SIMM для РС 386, 486 и Pentium практически несовместимы.

Новой разновидностью модулей памяти являются модули DIMM (Dual-In-Line-Memory-Module – двухрядное расположение контактов), имеющие не 32, а 72 контакта на краевом разъеме, что позволяет значительно увеличить емкость каждого модуля.

В последнее время типы памяти приобрели ярко выраженную аббревиатуру, позволяющую их идентификацию:

- DRAM – Dynamic RAM – динамическая память с произвольной выборкой;

- FPM DRAM – Fast Page Mode – динамическая память со страничной организацией;

- VRAM – Video RAM – видеопамять динамическая, двухпортовая. Наличие второго порта позволяет осуществить произвольный доступ к памяти в то время, когда уже идет вывод данных на видеомонитор;

- CDRAM – Cached DRAM – динамическая память фирмы Mitsubishi, содержащая дополнительно
16 Кбайт быстрой памяти на каждые 4 или 16 Мбайт;

- EDRAM – Enhanced DRAM – динамическая память фирмы Ramtron, содержащая 8 Кбайт быстрой
кэш-памяти на каждые 8 Мбайт;

- EDO DRAM – Extended Data Output DRAM – динамическая память со страничной организацией.

Благодаря дополнительным регистрам, данные на выходе сохраняются в течение большого интервала времени, от одного сигнала выборки CAS# до следующего.

Существуют и другие типы модулей памяти, со своими обозначениями.

Все вышеприведенные типы памяти между собой несовместимы, как несовместимы и с контроллерами памяти другого типа. Так что, если системная плата, в соответствии с инструкцией по ее эксплуатации, рассчитана, например, на память типа EDO, значит и контроллер памяти (расположенный в чип-сете) рассчитан только на EDO DRAM, и с любым другим типом модулей памяти работать не будет.

Емкость современных модулей SIMM достигает сотен Мбайт и более. Тем не менее, если все разъемы DRAM заняты, емкость ОЗУ все же можно увеличить, установив в специальный слот плату расширения памяти (например, карту MBI 386RW-BUS), с установленными на нее дополнительными модулями SIMM. Конечно, в этом случае следует выставить и соответствующую конфигурацию ВС.

Уместно напомнить, что установка дополнительной памяти требует дополнительных программных и аппаратных средств – контроллеров типа 82С631, 82С241, для преобразования расширенной памяти в дополнительную (при использования ее в системе MS DOS).

Спецификация ЕМS разработана фирмами Lotus Development, Intel и Microsoft и называется так же спецификацией LIM. Версия EMS 3.2 позволяет сверх базовой памяти в 640 Кбайт использовать до 8 Мбайт ОЗУ, а EMS 4.0 - до 32 Мбайт. Для операций с EMS используется прерывание DOS 67h. Программная поддержка верхней памяти под MS DOS – менеджеры HIMEM (для доступа к расширенной памяти), плюс QEMEM, 386MAX, EMM386 и др. – для доступа к дополнительной памяти.

Контрольные вопросы.

1. Для чего организуется работа DRAM с чередованием банков?

2. Как организуется регенерация DRAM?

3. Какой объем памяти отводится MS DOS под базовую?

4. Где располагается область таблицы векторов прерываний?

5. Какими средствами становится доступной область Upper Memory под MS DOS?

6. В чем достоинства и недостатки модулей SIMM?

7. Как конструктивно может быть выполнена DRAM PC?