Конденсаторы интегральных микросхем

Для создания конденсаторов в монокристалле полупроводниковых ИС используют емкости p-n-переходов. Однако такие конденсаторы имеют ограниченный диапазон емкостей (20 – 200 пФ), низкую температурную стабильность (10 1/°С) и значительный технологический разброс параметров ( ±30%).

Тонкопленочные конденсаторы гибридных ИС (рис. 93) обладают более высокими свойствами: диапазон их емкостей лежит в пределах от единиц до 10 000 пФ, температурная стабильность составляет ±2*10 1/°С, а технологический разброс параметров равен ±10%. Такие конденсаторы представляют собой трехслойную структуру в виде диэлектрика и двух нанесенных на него распылением низкоомного металла тонкопленочных обкладок.

Бумажный конденсатор, электрич. Конденсатор, в котором в качестве диэлектрика используется спец. конденсаторная бумага, пропитанная минеральным (напр., конденсаторным маслом) или синтетическим (напр., октолом) веществом с хорошими изоляц. свойствами, а обкладками служат либо алюминиевая фольга, либо тонкий слой металла, нанесенный непосредственно на бумагу (такие конденсаторы наз. металлобумажными); разновидность конденсатора с органическим диэлектриком. Номинальная емкость бумажного конденсатора от сотен пФ до сотен мкФ; номинальное напряжение от сотен В до десятков кВ; удельный заряд фольговых бумажных конденсаторов до 15 мкКл×см , металлобумажных – до 70 мкКл×см . Бумажные конденсаторы предназначены для работы на пост., прем., пульсирующем и импульсном напряжении в электротехнич. И радиоэлектронной аппаратуре.

Вариконд [англ. varicond, от vari(able) – переменный и cond(enser) – конденсатор], сегнетокерамический конденсатор с резко выраженной нелинейной зависимостью емкости от напряженности электрического поля (вариконд с электрическим управлением емкостью) или от температуры (температурночувствительный вариконд, или термоконденсаторы). Для изготовления варикондов используют несколько видов сегнетокерамики на основе твердых растворов титаната бария, характеризующихся сильным размытием области фазового перехода в рабочем интервале температур; коэф. нелинейности, оцениваемый отношением максимальной диэлектрической проницаемости к минимальной при наложении управляющего поля смещения, достигает 15 в варикондах, предназначенных для работы на НЧ и 1,1 – 2 на СВЧ. По конструкции различают дисковые, пластиночные и пленочные (СВЧ) вариконды. Характеризуются высокой механической прочностью, долговечностью, устойчивы к вибрациям и действия влаги. Осн. недостаток – временная и температурная нестабильность параметров. Применяются в устройствах автоматики и СВЧ техники, электронных часах с термокомпенсацией, медицинских приборах и др.

Варистор. Вольтамперные характеристики варисторов:

1-6 – на основе ZnO, 7,8 – на основе SiC

Тема 2.3 Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы

Индуктивность – физическая величина, характеризующая магнитные свойства электрической цепи. Ток в проводящем контуре создает в окружающем пространстве магнитное поле. Магнитный поток Φ, пронизывающий контур:

Ф= L · I

I - ток в контуре;

L - коэффициент пропорциональности, называемый индуктивностью, или коэффициентом самоиндукции контура.

Индуктивность зависит от геометрии, размеров контура, магнитной проницаемости среды и проводников, образующих электрическую цепь. Для неферромагнитных сред и проводников индуктивность жесткого (недеформируемого) контура постоянна.

Через индуктивность выражается Э.Д.С. самоиндукции ε в контуре, возникающая при изменив нем тока:

Единица индуктивности в СИ – Генри. (1 Генри (Гн) – такая индуктивность, при которой ток в 1 Ампер порождает потокосцепление φ в 1 Вебер).

Для катушки, состоящей из одного витка, потокосцепление φ определяется:

φ= L · I

Измерителем индуктивности называется прибор для измерения индуктивности катушек, дросселей, обмоток трансформаторов, а также сопротивления активных потерь катушек. Наиболее широкое применение находят измерители индуктивности, работа которых основана на резонансном и мостовом методах. В резонансных измерителях индуктивности (рис. 1) используются известные соотношения между параметрами L, C и R колебательного контура и его резонансной частотой. Резонансные измерители индуктивности работают на частотах от нескольких кГц до нескольких сотен МГц; диапазон измеряемых индуктивностей – от сотен долей мкГн до нескольких сотен мГн; погрешность измерений составляет обычно несколько процентов.

Рисунок 1 – Резонансный измеритель индуктивности

Lc – индукция витка связи;

Lx – измеряемая индуктивность;

Сk – собственная емкость катушки;

Сх – образцовая емкость;

ЛВ – ламповый вольтметр;

ГВЧ – генератор сигналов высокой частоты;

В мостовых измерителях индуктивности используются мостовые цепи; часто такие цепи входят в состав универсальных мостов, предназначенных для измерения индуктивности, емкости и активного сопротивления. Мостовые измерители индуктивности применяются на частотах до нескольких сотен МГц и обеспечивают измерение индуктивностей от десятых долей мкГн до нескольких тысяч Гн. Все шире применяются измерители индуктивности с самобалансирующимися мостами переменного тока с цифровым отсчетом (рис. 2), а также измерители индуктивности, в которых измеряемый параметр преобразуется в ток, напряжение или временной интервал с последующим измерением этих величин цифровыми измерителями.

Рисунок 2 – Мостовой измеритель индуктивности

Zx – полное сопротивление катушки индуктивности;

Z₂ – образцовый резистор;

Z_2,3 – переменные резисторы;

1 – генератор сигналов низкой частоты (ГСНЧ);

2 – блок сравнения;

3 – блок управления уравновешивания моста;

4 – устройство цифрового счета;

В современных измерителях индуктивности широко применяются микросхемы. Основной тенденцией в развитии измерители индуктивности является автоматизация процесса измерения в сочетании с дистанционным программным управлением, что позволяет использовать такие измерители индуктивности в автоматизированных системах контроля и информационно-измерительных системах.

Так как индуктивность зависит от магнитной пронтцаемости µ среды и проводников электрической цепи, напомним физическую сущность этой величины. Магнитная проницаемость µ - физическая величина, характеризующая изменение магнитной индукции B среды при воздействии магнитного поля H

μ = B /μ₀H

μ₀ - магнитная постоянная;

Магнитная постоянная (магнитная проницаемость вакуума ) равна:

μ₀ =4π ·10 ^-7 Гн/м=1,256637·10 ^-6 Гн/м

Магнитная проницаемость связана с магнитной восприимчивостью χ соотношением

μ = 1+ 4π χ (СГС)

μ = 1+ χ (СИ)

Для вакуума χ=0, μ=1.

В переменных магнитных полях, изменяющихся по закону синуса или косинуса магнитная проницаемость представляется в комплексной форме:

μ = μ₁ + iμ₂

μ₁ - характеризует обратимые процессы намагничивания;

μ₂ - процессы рассеяния энергии магнитного поля (потери на вихревые токи, магнитную вязкость и др.)

Магнитная вязкость – задержка во времени изменения магнитных характеристик вещества (намагниченности, магнитной проницаемости) от изменения напряженности магнитного поля. Запаздывание от 10 ^-9с до часов. Магнитная восприимчивость – величина, характеризующая связь намагниченности вещества с магнитным полем в этом веществе

χ = J / H

χ_уд = χ / g

χ = χ_уд · M

M – молекулярная (атомная) магнитная восприимчивость;

Магнитная восприимчивость – положительная для парамагнетиков и ферромагнетиков (намагничиваются по полю); отрицательная – для диамагнетиков (намагничивается против поля).

Диамагнетики – He, Cu, Be, Zn, Ag, Au, Bi и другие, H₂O, CO₂, CH₄ (метан), С₆Р₆ (бензол).

Парамагнетики – Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, W, Pt..

J – намагниченность – характеристика магнитного состояния макроскопического тела. Намагниченность J определяется как магнитный момент M единицы объема тела:

J = M / V,

или для однородного намагничивания

J = dM / dV.

Измеряется в A/м, 1 м³ вещества обладает магнитным моментом 1 А· м² в системе СГС (Гс·см³).

Магнитная индукция B – основная характеристика магнитного поля, представляющая собой среднее значение суммарной напряженности микроскопических магнитных полей, созданных отдельными электронами и другими элементарными частицами.

B = H + 4πJ (1)

H – вектор напряженности магнитного поля;

J – вектор намагниченности;

J = χ H (2)

На основании (1) и (2) и с учетом ранее приведенных соотношений:

B = (1 + 4πχ)H = μH

μ = (1 + 4πχ)

μ – магнитная проницаемость;

χ – магнитная восприимчивость;

В системе СИ используются следующие соотношения:

B = μ₀(H +J)

J = χH

B = μ₀ μH

μ = 1 + χ

Магнитная индукция в СИ измеряется в Теслах (1 Тл - 10⁴ Гс).