Выполнение лабораторной работы. 3. Изучить соответствующую теоретическую часть данного раздела.

Подготовка к работе.

3. Изучить соответствующую теоретическую часть данного раздела.

4. Рассчитать h – параметры транзистора, используя формулы (3) – (6), и числовые значения напряжений и токов на рис. 4. Рабочую точку выбрать аналогично рис. 5 (в средней части характеристик).

Практическое выполнение работы.

1. Собрать цепь согласно на рис. 9. Переменный резистор 1 кОм предназначено для регулирования тока базы, резисторы 100 кОм и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. При снятии входных характеристик транзистора измерение входного тока (тока базы I_Б), входного напряжения (напряжения U_БЭ) и контроль напряжения U_КЭ производится

Рис. 9. Схема для измерения входных и выходных характеристик

биполярного транзистора n-p-n –типа

мультиметрами. Регулирование напряжения U_КЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения. При снятии выходных характеристик измерение выходного тока (тока коллектора I_К), выходного напряжения (напряжения U_КЭ) и контроль тока базы I_Б осуществляется теми же мультиметрами на соответствующих пределах.

2. При измерении входных характеристик транзистора, установить U_КЭ = 0 и, задавая ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 1, снять зависимость U_БЭ (I_Б).

Примечание! Ввиду того, что характеристики транзистора изменяются по мере его разогрева, рекомендуется в процессе проведения эксперимента блоки питания на длительное время не включать, а измерения проводить по возможности быстро.

Таблица 1

Повторить этот опыт для U_КЭ = 5 В, U_КЭ = 10 В. Построить графики входных характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения U_КЭ.

3. При измерении выходных характеристик транзистора, установить первое значение тока базы I_Б = 20 мкА и изменяя значения напряжения U_КЭ согласно указанным в табл. 2, снять зависимость I_К(U_КЭ). Повторить эти измерения при каждом значении I_Б, указанном в табл. 2.

При проведении этих измерений учитывать примечание к предыдущему эксперименту.

4. По построенным экспериментальным графикам входных и выходных характеристик транзистора определить его h – параметры по методике, использованной в расчетном задании.

5. Полученные экспериментальные результаты сравнить с расчетными и отразить в выводах.

Таблица 2

Контрольные вопросы и задания

1. Изобразить статические входные и выходные характеристики транзистора.

2. Чем определяется наличие тока I_К0?

3. Записать систему – параметров для транзистора как четырехполюсника.

3. Привести основные дифференциальные параметры транзистора на основе – параметров.

4. Как, используя входные и выходные ВАХ транзистора, определить его – параметры?

5. Как построить нагрузочную прямую транзистора, чем определяется ее наклон, что по ней можно определить?

6. Привести эквивалентную схему транзистора с – параметрами.