Транзисторы, основные характеристики транзисторов

Основные стандарты на транзисторы: ГОСТ 20003-74 – Транзисторы биполярные. Электрические параметры. Термины, определения буквенные обозначения. ГОСТ 19095-73. – Транзисторы полевые. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения. ОСТ 11336.907.8-81. – Транзисторы биполярные. Руководство по применению. ОСТ 11336.935-82. – Тразисторы полевые. Руководство по применению.

Транзистор – полупроводниковый трехэлектродный прибор, предназначенный для усиления, генерирования или преобразования электрических сигналов и переключения электрических импульсов в схемах. Он представляет собой кристалл со структурой p-n-p или п-р-п – типа с тремя выводами, связанными с тремя слоями (областями). Средний слой называется базой Б. Один наружный слой, который является источником носителей зарядов – электронов или дырок, называют эмиттером Э, а другой, принимающие от эмиттера заряды, - коллектором . Физические процессы, протекающие в р-п-р и п-р-п – транзисторах, аналогичны. Разница сотоит лишь в том, что при одинаковых рабочих режимах напряжения на одноименных электродах имеют противоположную полярность (отрицательное на коллекторах транзисторов р-п-р – типов и положительное п-р-п – типов) и ток в базах преносится носителями зарядов противоположного знака. Существуют также униполярные (однополярные) транзисторы, в которых ток переносится только одним типом носителей – основных для данного полупроводника. Такие транзисторы называют полевыми. На рис.14.10 представлена выходная характеристика транзистора.

Основными параметрами транзисторов являются: коэффициент передачи тока; постоянное напряжение коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер Uкэr; постоянное напряжение эмиттер-база Uэб; постоянное напряжение коллектор-база Uкб; постоянный ток коллектора Iк, эмиттера Iэ, базы Iб; импульсные токи коллектора IКи; эмиттера IЭи, базы IБи; постоянные мощности рассеяния транзистора Р и

Рис. 14.10

коллектора Рк; температура окружающей среды Т.

Максимально допустимые электрические и тепловые режимы, в которых могут использоваться транзисторы, в основном, характеризубтся предельными эксплуатационными данными параметров UкэR, Uкб, Uэб, Iк, Iб, IКи, Р, Рк, Т.

Основными параметрами полевых тразисторов являются: напряжение отсечки UЗИотс – приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала; максимально допустимый ток стока I c.max; напряжение между затвором и стоком UЗС; между стоком и истоком UСИ и между затвором и истоком UЗИ, входная С11И, проходная С12И и выходная С22И емкости; крутизна характеристики коэффициент шума – Кш; электродвижущая сила шума Еш.

Таблица 14.7

В таблицах 14.8,14.9,14.10 указаны основные параметры транзисторов. На рис. 14.11, показаны габаритные чертежи и цоколевка транзисторов.

Таблица 14.8

Рис.14.11

Таблица

14.10

Рис.14.12