Специальные типы полупроводниковых диодов

Теоретическое значение емкости варикапа :

,

Где Со – начальная емкость варикапа при Uв=0,

Uв –напряжение на варикапе,

Ψк – контактная разность потенциалов.

Добротность варикапа :

,

Где - реактивная мощность,

Р- мощность

 

 

Рис. Схематическое изображение варикапа (а) и зависимость емкости варикапа от обратного напряжения (б).

Коэффициент перекрытия по емкости:

 

Рис. Графики зависимости добротности варикапа КВ117А от частоты (а) и от напряжения (б)


 

 

Рис. Эквивалентная схема замещения варикапа (а) и зависимость добротности от частоты (б)

 

Полное сопротивление варикапа :

 

Добротность варикапа в областях низких частот и высоких частот:

Частота , соответствующая максимуму добротности:

Максимум добротности:

Где Rп – сопротивление материала полупроводника, р-n-области и контакта.

 

 

 

Рис. Схема резонансного контура с электронной перестройкой при помощи варикапов

 

 

Рис. Схематическое изображение стабилитронов (а) и их вольт- амперные характеристики (б)


 

Рис. Схема включения стабилитрона (а) и стабистора (б)

 

 

 

 

Рис. Зависимость температурного коэффициента от напряжения стабилизации.

 

 

 

Рис. Линеаризованная характеристика стабилитрона (а) и схема его замещения (б)

 

Для простейшего стабилизатора напряжения справедливо:

 

Напряжение на выходе стабилизатора:
,

Где Iн=Uвых/Rн – ток нагрузки.

 

 
 

 

 


Рис. Схема простейшего стабилизатора напряжения (а) и его схема замещения (б)

 

Выходное напряжение стабилизатора:

 

 

 

Рис. Вольт- амперная характеристика туннельного диода (а), его схематическое изображение (б), и схема замещения (в)


 

 

Рис.схема генератора на туннельном диоде (а), и определение возникновения колебаний (б)

 

 

Полное сопротивление ТД:

 

 

Полное активное сопротивление:

 

Критическая частота возникновения колебаний:

 

 

Частота собственных колебаний:

 

 

Частота колебаний в случае генератора на туннельном диоде (рис выше) :

 

 


Ток фотодиода в общем случае:

 

 

Где Iф=SiФ – фототок

Si – итегральная чувствительность

Ф – световой поток

 

 

 

Рис. Вольт- амперная характеристика обращенного диода (а) и его схематическое изображение (б)

 

 

Рис. Вольт- амперная характеристика фотодиода и и его схематическое изображение


 

Рис. Схема включения фотодиода с нагрузкой , построение нагрузочной характеристики и график напряжения на нагрузке

 

 

 

Рис. Условное схематическое изображение светодиода и спектральные характеристики излучения.


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Терморезистори | ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ




Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 991;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.019 сек.