Полевой транзистор с изолированным затвором. В связи с особенностями структуры МДП-транзисторов их можно формировать без специальных островков в монокристалле интегральной микросхемы

В связи с особенностями структуры МДП-транзисторов их можно формировать без специальных островков в монокристалле интегральной микросхемы, что упрощает технологию - уменьшает число технологических операций, удешевляет интегральные микросхемы и дает возможность увеличить плотность упаковки. Другая особенность и преимущество МДП-транзисторов в качестве активных элементов интегральных микросхем состоит в том, что при нулевом напряжении на затворе МДП-транзистора с индуцированным каналом ток стока практически отсутствует, т. е. мощность транзистором потребляется только во время подачи напряжения на затвор. Это уменьшение потребляемой мощности интегральных микросхем на МДП-транзисторах с индуцированным каналом особенно существенно для создания логических интегральных микросхем. Важным также является то обстоятельство, что цифровые интегральные микросхемы могут быть построены целиком на гальванически соединенных между собой МДП-транзисторах без использования других элементов.

Диод

Этот активный элемент широко используется в интегральных микросхемах, особенно в логических интегральных микросхемах. Для создания диода вообще достаточно сформировать только один р-п-переход. Однако диодам в интегральных микросхемах придают транзисторную структуру и в зависимости от конкретно го назначения используют тот или иной р-п-переход путем применения одного из пяти возможных вариантов включения (рис. 10).

Рис. 10. Возможные варианты использования р-п-переходов транзисторной структуры в качестве диода (а) и их эквивалентные схемы (б)