Изоляция элементов электронно-дырочным переходом

Принцип такой изоляции заключается в том, что для каждого элемента в кристалле формируется свой так называемый островок, окруженный р-п-переходом, который при работе микросхемы смещается в обратном направлении. Ток утечки такой изоляции обычно не превышает 10^-7 А.

Электронно-дырочный переход, изолирующий отдельные элементы полупроводниковой интегральной микросхемы друг от друга, может быть создан различными способами, которых в настоящее время разработано более десятка. Рассмотрим самый распространенный из них - планарно-эпитаксиальный с разделительной диффузией (см. рис. 3). Вначале на пластине кремния выращивают эпитаксиальный слой с электропроводностью типа, противоположного типу электропроводности объема полупроводника, т. е. создают эпитаксиальный р-п-переход по всей площади пластины кремния. Затем проводят обычные этапы планарной технологии: окисление поверхности эпитаксиальнои пленки, нанесение фоторезиста, засветку его через маску - фотошаблон, вскрытие окон в диоксиде кремния, локальную диффузию акцепторов через весь эпитаксиальный слой до подложки с электропроводностью р-типа (рис. 3, а)

Рис. 7.3. Формирование островков с электропроводностью п-типа на монокристаллической подложке кремния с электропроводностью р-типа планарно-эпитаксиальным методом с разделительнои диффузией

В полученных островках с электропроводностью п-типа (рис. 7.3, б) в дальнейшем формируют структуры транзисторов или других полупроводниковых приборов.