Основные отличия

1. Полупроводниковые лазеры обладают очень высоким коэффициентом преобразования электрической энергии в световую (КПД > 50 %). Другой же тип лазеров – КПД составляет несколько процентов.

2. В полупроводниковых лазерах могут существовать несколько уровней переходов. Переходы могут происходить с разными энергиями. Имеем не совсем когерентное излучение (излучение происходит не на одной частоте, а на группе частот). Фазовые плоскости разных частот могут быть сдвинуты по фазе.

3. Диаграмма направленности излучения лазера составляет несколько градусов.

4. Существует т. н. пороговая плотность тока – плотность тока, при которой в полупроводниковом лазере начинают преобладать вынужденные переходы над произвольными (точка перехода из режима работы светодиода в режим работы лазера).

При переходе из режима светодиода в режим лазера меняется спектральная характеристика (она сужается).

1 – режим светодиода;

2 – режим лазера.

Зависимость интенсивности от тока через лазер. Эти зависимости представляют собой практически линейные зависимости, имеющие два участка с почти линейными зависимостями. Первый участок – самопроизвольная рекомбинация, второй – вынужденная рекомбинация.

На этих участках зависимость практически линейная.